首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--晶闸管(可控硅)论文

含晶闸管元件的电力系统小干扰稳定性分析

第一章 绪论第1-24页
 1.1 引言第9页
 1.2 FACTS概念的提出和FACTS装置第9-12页
 1.3 HVDC输电技术第12-13页
 1.4 小干扰稳定分析的基本方法第13-14页
 1.5 次同步振荡分析的基本方法第14-18页
  1.5.1 时域仿真分析第15-16页
  1.5.2 扫频分析法第16-18页
  1.5.3 特征值分析法第18页
 1.6 HVDC装置及FACTS装置建模的研究现状第18-22页
 1.7 本论文的主要工作第22-24页
第二章 建立HVDC装置和FACTS装置连续化模型的基本方法第24-31页
 2.1 开关函数及动态相量第24-27页
  2.1.1 开关函数第24-25页
  2.1.2 动态相量和基频动态相量(单边)第25-26页
  2.1.3 动态相量(双边)第26-27页
 2.2 换流桥模型的建立第27-28页
 2.3 晶闸管可控电抗器(TCR)模型的建立第28-30页
 2.4 小结第30-31页
第三章 电力系统基本元件的动态相量模型第31-45页
 3.1 动态相量概念的扩展第31-35页
 3.2 发电机及轴系模型第35-37页
 3.3 变压器及不计对地电容效应的输电线模型第37-41页
 3.4 电容耦合支路模型第41-42页
 3.5 电容器(含串联电容器与接地电容器)模型第42-43页
 3.6 计对地电容效应的输电线模型第43页
 3.7 接地电抗器模型第43页
 3.8 小结第43-45页
第四章 含晶闸管可控电抗器元件装置的模拟第45-53页
 4.1 可控串联电容补偿(TCSC)装置的模拟第45-50页
  4.1.1 TCSC模型第45-47页
  4.1.2 晶闸管触发算法简介第47-50页
 4.2 静止无功补偿器(SVC)的模拟第50-52页
 4.3 小结第52-53页
第五章 含换流桥装置的模拟第53-70页
 5.1 高压直流输电(HVDC)装置的模拟第53-63页
  5.1.1 理论基础第53-58页
  5.1.2 HVDC装置模型第58-63页
 5.2 静止同步补偿器(STATCOM)的模拟第63-69页
 5.3 小结第69-70页
第六章 SSR小干扰稳定分析第70-118页
 6.1 TCSC系统分析第70-103页
  6.1.1 动态相量模型的校验第70-77页
  6.1.2 基于IEEE First Benchmark Model的TCSC系统分析第77-92页
  6.1.3 简化的伊冯500kV可控串补研究系统分析第92-103页
 6.2 基于IEEE First Benchmark Model的HVDC系统分析第103-110页
  6.2.1 系统简介第103-104页
  6.2.2 系统分析第104-109页
  6.2.3 小结第109-110页
 6.3 基于IEEE First Benchmark Model的SVC系统分析第110-113页
  6.3.1 系统简介第110页
  6.3.2 SVC电压控制环节第110-111页
  6.3.3 次同步振荡阻尼器(SSDC)第111页
  6.3.4 系统分析第111-112页
  6.3.5 小结第112-113页
 6.4 基于IEEE First Benchmark Model的STATCOM系统分析第113-116页
  6.4.1 系统简介第113页
  6.4.2 STATCOM电压控制环节第113-114页
  6.4.3 次同步振荡阻尼器(SSDC)第114页
  6.4.4 系统分析第114-115页
  6.4.5 小结第115-116页
 6.5 本章小结第116-118页
第七章 结论第118-121页
致谢第121-122页
参考文献第122-127页
附录A 采用动态相量法推导发电机模型第127-133页
附录B IEEE FBM发电机参数第133-134页
附录C 伊敏600MW发电机参数第134-135页
攻读博士学位期间发表的学术论文第135-136页

论文共136页,点击 下载论文
上一篇:论文学翻译的基本美学特征和相关的美学翻译标准
下一篇:我国通货紧缩时期的货币政策分析