Cr、Mn掺杂AlN和GaN半金属性质的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·自旋电子学材料与器件 | 第9-11页 |
| ·半金属材料与稀磁半导体 | 第11-14页 |
| ·Ⅲ族N 化物基稀磁半导体材料 | 第14-17页 |
| ·Ⅲ族N 化物的性质及用途 | 第14-15页 |
| ·Ⅲ族N 化物稀磁半导体的研究背景及新进展 | 第15-17页 |
| ·本文研究的目的和内容 | 第17-18页 |
| 2 密度泛函理论及计算软件简介 | 第18-27页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-22页 |
| ·Hobenberg-Kohn 定理 | 第18-20页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20页 |
| ·局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第20-22页 |
| ·VASP 简介 | 第22-26页 |
| ·VASP 程序相关理论 | 第23-25页 |
| ·主要输入文件和输出文件 | 第25-26页 |
| ·VASP 的主要计算功能 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 Cr、Mn 掺杂 AlN 的第一性原理研究 | 第27-40页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·计算方法和模型 | 第27-29页 |
| ·计算结果与分析 | 第29-39页 |
| ·AlN 的能带结构和态密度分析 | 第29-31页 |
| ·Cr、Mn 掺杂对晶格结构的影响 | 第31-32页 |
| ·Cr、Mn 掺杂对AlN 磁电性能的影响 | 第32-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 Cr、Mn 掺杂 GaN 的第一性原理研究 | 第40-53页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·计算方法和模型 | 第40页 |
| ·计算结果与分析 | 第40-47页 |
| ·各种掺杂结果的比较分析 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·主要结论 | 第53页 |
| ·后续研究工作展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录 | 第60页 |
