| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·光学体全息存储 | 第10-11页 |
| ·钽酸锂 | 第11-15页 |
| ·钽酸锂的研究现状 | 第11-13页 |
| ·钽酸锂晶体的结构 | 第13-14页 |
| ·钽酸锂的同成分点 | 第14-15页 |
| ·钽酸锂晶体的特点 | 第15页 |
| ·本文的研究方法及内容 | 第15-21页 |
| ·钽酸锂的生长方法 | 第15-17页 |
| ·钽酸锂晶体中 Li_2O 含量的表征方法 | 第17-18页 |
| ·光折变掺杂 | 第18-19页 |
| ·抗光折变掺杂 | 第19-20页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验材料和实验方法 | 第21-30页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第21页 |
| ·晶体生长的原料及配比 | 第21-22页 |
| ·晶体生长设备 | 第22-23页 |
| ·晶体的极化装置 | 第23-24页 |
| ·晶体的后处理 | 第24页 |
| ·样品的光谱学测试仪器及实验条件 | 第24-26页 |
| ·XRD 测试仪器及实验条件 | 第25页 |
| ·DTA 测试仪器及实验条件 | 第25页 |
| ·IR 测试仪器及实验条件 | 第25页 |
| ·UV 测试仪器及实验条件 | 第25-26页 |
| ·晶体的光折变性能 | 第26-29页 |
| ·二波耦合实验 | 第26-27页 |
| ·抗光损伤能力实验 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 晶体生长及加工 | 第30-41页 |
| ·晶体的生长 | 第30-31页 |
| ·晶体生长的准备工作 | 第30-31页 |
| ·原料的预处理 | 第31页 |
| ·晶体生长工艺参数的选择 | 第31-36页 |
| ·温度梯度 | 第32-33页 |
| ·晶体的生长速度 | 第33-34页 |
| ·晶体的旋转速度 | 第34页 |
| ·晶体的生长形态 | 第34-35页 |
| ·生长晶体 | 第35-36页 |
| ·晶体的极化 | 第36-39页 |
| ·晶体的定向切割 | 第37-38页 |
| ·晶体的研磨和抛光 | 第38-39页 |
| ·晶体开裂的分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 钽酸锂晶体的表征及结果分析 | 第41-56页 |
| ·钽酸锂晶体的XRD 结果分析 | 第41-44页 |
| ·钽酸锂晶体的IR 结果分析 | 第44-45页 |
| ·钽酸锂晶体的UV 结果分析 | 第45-46页 |
| ·钽酸锂晶体的DTA 结果分析 | 第46-47页 |
| ·Mg:LiTaO_3 晶体光折变性能测试结果分析 | 第47-54页 |
| ·晶体体全息存储机理 | 第47-52页 |
| ·结果分析 | 第52页 |
| ·光损伤性能测试结果分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |