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太阳能级硅(SOG-Si)光伏电池中多孔硅吸杂工艺及其神经网络分析方法研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-12页
第一章 绪论第12-26页
   ·能源危机与能源变革第12-14页
   ·晶硅光伏电池的发展历史与现状第14-16页
   ·SOG-Si光伏电池中的常用吸杂工艺第16-19页
   ·神经网络在半导体材料及器件中的应用现状第19-20页
   ·主要研究内容及创新点第20-21页
 参考文献第21-26页
第二章 硅光伏电池的器件物理基础第26-42页
   ·半导体的能带论和掺杂原理第26-27页
   ·pn结的形成及其数学描述第27-37页
     ·热平衡态下的pn结第27-30页
     ·基本方程第30-32页
     ·外加电压下的pn结第32-35页
     ·光照下的pn结第35-37页
   ·硅光伏电池特性表征第37-40页
     ·pn结硅光伏电池的等效电路、伏安特性及输出参数第37-39页
     ·复合损失对于电池效率的影响第39-40页
   ·小结第40页
 参考文献第40-42页
第三章 单结硅光伏电池光生电流密度的数值模拟第42-60页
   ·太阳辐射光谱第42-43页
   ·单结硅光伏电池光生电流密度的数值分析第43-48页
     ·光生电流密度计算模型第44-45页
     ·单结硅光伏电池光生电流密度推导第45-48页
   ·硅光伏电池光生电流密度的数值模拟实验第48-58页
     ·实验目的及实验方法第48页
     ·实验参数的设置第48-50页
     ·实验结果及讨论第50-56页
     ·实验结论第56-58页
   ·小结第58页
 参考文献第58-60页
第四章 PSL吸杂及其在SOG-SI光伏电池中的应用第60-108页
   ·SOG-SI材料的缺陷和杂质第60-62页
     ·非金属杂质第60-61页
     ·金属杂质第61-62页
   ·吸杂机理第62-65页
       ·松弛吸杂第63页
     ·分凝吸杂第63-65页
   ·PSL刻蚀机理及制备第65-75页
     ·PSL常用制备方法第65页
     ·PSL化学刻蚀机理及形成过程第65-68页
     ·各因素对PSL化学刻蚀特性的影响第68-74页
     ·PSL的化学刻蚀制备与表征第74-75页
   ·PSL吸杂实验第75-78页
     ·PSL常规热处理吸杂实验第76页
     ·PSL短周期、间隔重复吸杂(SDIDG(PSL))第76-77页
     ·PSL磷吸杂实验第77-78页
   ·实验测试设备及测试方法第78-79页
   ·实验结果及讨论第79-92页
     ·PSL常规热处理吸杂第79-84页
     ·SDIDG(PSL)吸杂第84-85页
     ·PSL-PDG第85-92页
   ·多孔硅吸杂在光伏电池制造工艺中的应用第92-101页
     ·工艺流程第92-100页
     ·电池性能分析第100-101页
   ·小结第101-102页
 参考文献第102-108页
第五章 PSL吸杂工艺神经网络分析方法研究第108-133页
   ·神经网络的构成第108-111页
     ·神经元模型第108-110页
     ·神经网络模型第110-111页
   ·BP神经网络第111-118页
     ·BP神经网络(BPNN)模型第111-112页
     ·BPNN学习算法第112-117页
     ·BPNN训练与测试第117-118页
   ·CVTPDG(PSL)吸杂效果预测BPNN模型网络结构设计第118-121页
     ·输入层的设计第118-119页
     ·输出层的设计第119页
     ·样本的选择第119-120页
     ·隐层数及隐层节点数的设计第120-121页
     ·CVTPDG(PSL)吸杂效果BPNN预测模型网络结构图第121页
   ·CVTPDG(PSL)吸杂效果预测BPNN模型创建及验证第121-131页
     ·网络创建第121-122页
     ·初始权值的设计第122页
     ·样本数据的处理第122-123页
     ·网络的训练第123-125页
     ·模型的仿真及测试验证第125-127页
     ·参数的灵敏度分析第127-131页
   ·小结第131页
 参考文献第131-133页
第六章 结论第133-136页
   ·主要结论第133-135页
   ·研究展望第135-136页
附录 ERDA的标准光谱第136-138页
在学期间的研究成果第138-139页
致谢第139页

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