| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·当代半导体存储器分类 | 第11-12页 |
| ·非易失性存储器的发展 | 第12-13页 |
| ·非易失性存储器的主要可靠性问题 | 第13-14页 |
| ·本论文研究内容及安排 | 第14-17页 |
| 第二章 EEPROM 结构及其擦写机制 | 第17-29页 |
| ·EEPROM 的结构和工作原理 | 第17-21页 |
| ·FLOTOX EEPROM | 第17-19页 |
| ·Flash EEPROM | 第19-21页 |
| ·EEPROM 擦写过程的注入机制 | 第21-25页 |
| ·EEPROM 中载流子的传输特性 | 第21-25页 |
| ·Fowler-Nordheim 隧穿效应 | 第22-23页 |
| ·带带隧穿Band-to-band Tunneling | 第23-24页 |
| ·热电子注入Hot Electron Injection | 第24-25页 |
| ·各种不同注入机理及结构的EEPROM 介绍 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 EEPROM 的保持特性研究 | 第29-39页 |
| ·EEPROM 的可靠性问题 | 第29-31页 |
| ·EEPROM 的耐久性 | 第29-30页 |
| ·EEPROM 的保持性 | 第30-31页 |
| ·EEPROM 的读干扰 | 第31页 |
| ·EEPROM 的保持特性研究 | 第31-37页 |
| ·温度加速应力实验 | 第31-34页 |
| ·电应力加速实验 | 第34-37页 |
| ·理论推导模型分析 | 第34-35页 |
| ·电应力加速实验分析 | 第35-37页 |
| ·提高EEPROM 可靠性的方法 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 EEPROM 中数据泄漏机制研究 | 第39-63页 |
| ·氧化层陷阱电荷和界面电荷对EEPROM 的影响 | 第39-42页 |
| ·EEPROM 可靠性机制介绍 | 第42-43页 |
| ·隧道氧化层高场应力下的可靠性机制 | 第42-43页 |
| ·CHE 编程条件下的可靠性机制 | 第43页 |
| ·带带效应 | 第43页 |
| ·超薄栅氧化层的SILC 研究 | 第43-54页 |
| ·超薄栅氧化层对器件性能的影响 | 第44页 |
| ·研究及测量方法 | 第44-45页 |
| ·超薄栅氧化层在斜坡电压下的瞬时击穿特性 | 第45-46页 |
| ·栅氧厚度对隧穿电流的影响 | 第45-46页 |
| ·温度对隧穿电流的影响 | 第46页 |
| ·超薄栅氧化层在恒定应力下的退化 | 第46-52页 |
| ·栅氧厚度对击穿特性的影响 | 第47-48页 |
| ·恒定电压应力对器件参数的影响 | 第48-49页 |
| ·恒定电压应力极性对器件参数的影响 | 第49-52页 |
| ·超薄栅氧化层在CHE 应力下的退化 | 第52-54页 |
| ·GIDL 隧穿电流研究 | 第54-60页 |
| ·GIDL 隧穿电流 | 第54-55页 |
| ·利用GIDL 电流探测原理 | 第55-56页 |
| ·GIDL 应力特性研究 | 第56-60页 |
| ·GIDL 效应对关态电流的影响 | 第57-58页 |
| ·GIDL 应力对阈值电压及GIDL 隧穿电流的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-63页 |
| 第五章 结束语 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
