| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 透明导电氧化物薄膜概述 | 第7-16页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的发展历史 | 第7-11页 |
| ·SnO_2 基薄膜 | 第8-9页 |
| ·In_2O_3 膜 | 第9-10页 |
| ·ZAO 膜 | 第10-11页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·透明导电氧化物薄膜面临的问题 | 第14-15页 |
| ·本文章节安排 | 第15-16页 |
| 第二章 掺铝ZnO(ZAO)薄膜的研究 | 第16-27页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第16页 |
| ·ZnO 及掺Al 后的导电原理 | 第16-17页 |
| ·掺铝氧化锌薄膜材料特性 | 第17-20页 |
| ·掺铝氧化锌薄膜电学性能 | 第17-18页 |
| ·掺铝氧化锌薄膜光学性能 | 第18-20页 |
| ·掺铝氧化锌薄膜的制备方法 | 第20-27页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第20-21页 |
| ·喷雾热解法 | 第21-22页 |
| ·分子束外延法 | 第22-23页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第23-24页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射法 | 第25-27页 |
| 第三章 ZAO 靶材的制备 | 第27-32页 |
| ·靶材中Al 掺杂量的确定 | 第27-28页 |
| ·ZAO 靶材制备过程 | 第28-32页 |
| 第四章 ZAO 薄膜的制备方法与理论基础 | 第32-42页 |
| ·溅射镀膜装置 | 第32页 |
| ·射频溅射镀膜过程 | 第32-34页 |
| ·实验参数及过程 | 第34-35页 |
| ·实验参数确定 | 第34-35页 |
| ·实验过程 | 第35页 |
| ·样品分析与检测 | 第35-42页 |
| ·四探针测试仪 | 第36-37页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第37页 |
| ·原子力显微镜 | 第37-39页 |
| ·X 射线衍射 | 第39-40页 |
| ·分光光度计 | 第40-41页 |
| ·稳态—瞬态荧光光谱仪 | 第41-42页 |
| 第五章 Al 掺杂ZnO 薄膜性能分析 | 第42-48页 |
| ·Al 掺杂ZnO 薄膜结构分析 | 第42-43页 |
| ·Al 掺杂对薄膜电学性质的影响 | 第43-44页 |
| ·Al 掺杂ZnO 薄膜的可见光吸收谱 | 第44-45页 |
| ·Al 掺杂ZnO 薄膜的光致发光性质 | 第45-48页 |
| ·ZnO 薄膜的发光机制 | 第45-47页 |
| ·Al 掺杂ZnO 薄膜的光致发光 | 第47-48页 |
| 第六章 射频溅射参数对ZAO 薄膜性能的影响 | 第48-67页 |
| ·溅射时间对薄膜性能的影响 | 第48-53页 |
| ·不同溅射时间薄膜结构的XRD 分析 | 第48-49页 |
| ·不同溅射时间薄膜AFM 形貌分析 | 第49-50页 |
| ·溅射时间对薄膜导电性能的影响 | 第50-51页 |
| ·不同溅射时间薄膜可见光平均透过率的研究 | 第51-52页 |
| ·不同溅射时间制备薄膜的PL 谱 | 第52-53页 |
| ·不同溅射功率薄膜结构以及光、电性能的研究 | 第53-55页 |
| ·溅射功率对薄膜结晶质量的影响 | 第53页 |
| ·不同溅射功率薄膜方阻表征 | 第53-54页 |
| ·80W 与120W 射频功率薄膜透光率曲线的比较 | 第54-55页 |
| ·气体压强变化对薄膜性能的影响 | 第55-61页 |
| ·气体压强对薄膜结构的影响 | 第56-57页 |
| ·薄膜方阻随气体压强的变化 | 第57-58页 |
| ·气体压强对薄膜透光率的影响 | 第58-60页 |
| ·不同压强下薄膜的PL 谱 | 第60-61页 |
| ·不同基片温度制备薄膜的性能分析 | 第61-67页 |
| ·不同基片温度下薄膜的X 射线衍射 | 第61-63页 |
| ·不同基片温度薄膜电性能的比较 | 第63-64页 |
| ·基片温度对薄膜透光率影响 | 第64-65页 |
| ·不同基片温度薄膜光致发光的研究 | 第65-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |