| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-16页 |
| 第一章 文献综述 | 第16-50页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的性质 | 第17-23页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第17-18页 |
| ·氧化锌的电子结构 | 第18-20页 |
| ·ZnO 的输运特性 | 第20-23页 |
| ·ZnO 的生长和制备方法 | 第23-31页 |
| ·ZnO 体材料生长 | 第23-25页 |
| ·ZnO 薄膜的外延衬底选择及薄膜的制备 | 第25-31页 |
| ·ZnO 的缺陷及掺杂 | 第31-38页 |
| ·ZnO 的本征缺陷 | 第31-32页 |
| ·氧化锌的n-型掺杂 | 第32页 |
| ·氧化锌的p-型掺杂 | 第32-38页 |
| ·氧化锌的气敏性能 | 第38-43页 |
| ·厚膜型ZnO 气体传感器 | 第38-39页 |
| ·薄膜型ZnO 气体传感器 | 第39页 |
| ·各种不同的掺杂元素及其对气敏性能的影响 | 第39-42页 |
| ·纳米结构ZnO 气体传感器 | 第42-43页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第43-45页 |
| ·研究目的 | 第43页 |
| ·研究内容 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 第二章 静电增强超声雾化热解法制备ZnO 薄膜 | 第50-65页 |
| ·雾化热解法的优缺点 | 第50-51页 |
| ·静电增强超声雾化热解法技术原理 | 第51-55页 |
| ·超声雾化 | 第51-52页 |
| ·气溶胶的荷电 | 第52-53页 |
| ·热解沉积 | 第53-55页 |
| ·实验过程 | 第55-57页 |
| ·实验设备 | 第55页 |
| ·衬底的清洗及处理 | 第55-56页 |
| ·前驱体的选择 | 第56页 |
| ·样品的制备 | 第56-57页 |
| ·样品的表征 | 第57-64页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD）与X 射线光谱（XPS） | 第57-58页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第58-59页 |
| ·原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM） | 第59-61页 |
| ·紫外可见吸收谱和荧光光谱 | 第61页 |
| ·拉曼光谱 | 第61页 |
| ·透射电子显微镜 | 第61-62页 |
| ·霍尔测试 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第三章 制备工艺对ZnO 薄膜结构及光致发光影响 | 第65-83页 |
| ·前驱体浓度对薄膜结构及形貌的影响 | 第65-69页 |
| ·前驱体浓度对薄膜结构的影响 | 第65-67页 |
| ·前驱体浓度对薄膜形貌的影响 | 第67-69页 |
| ·衬底温度对薄膜结构及形貌的影响 | 第69-72页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第69-70页 |
| ·衬底温度对薄膜形貌的影响 | 第70-72页 |
| ·载气流量和沉积时间对于薄膜生长的影响 | 第72-75页 |
| ·载气流量 | 第72-74页 |
| ·沉积时间 | 第74-75页 |
| ·制备条件对薄膜发光的影响 | 第75-80页 |
| ·前驱体浓度对薄膜发光性能的影响 | 第76-80页 |
| ·衬底温度对薄膜发光性能的影响 | 第80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第四章 非故意掺杂p-型氧化锌的制备及研究 | 第83-102页 |
| ·衬底温度对ZnO 薄膜电性能的影响 | 第83-87页 |
| ·不同温度制备ZnO 薄膜的结构 | 第84页 |
| ·ZnO 接触电极的选择 | 第84-86页 |
| ·电学性能的测试 | 第86-87页 |
| ·受主类型的研究 | 第87-92页 |
| ·自掺杂机理研究 | 第87-88页 |
| ·薄膜成分的表征 | 第88-90页 |
| ·低温PL 研究薄膜缺陷 | 第90-92页 |
| ·晶界对ZnO 薄膜性能的影响 | 第92-94页 |
| ·SCM 对ZnO 薄膜区域导电性能的研究 | 第94-99页 |
| ·SCM 原理 | 第94-95页 |
| ·SCM 表征ZnO 薄膜 | 第95-98页 |
| ·晶界中氧对薄膜霍尔迁移率的影响 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第五章Ag-N 共掺杂制备p-型ZnO 薄膜 | 第102-121页 |
| ·Ag-N 共掺杂制备p-型ZnO 薄膜理论背景 | 第102-104页 |
| ·施主-受主共掺杂理论 | 第102页 |
| ·双受主共掺杂的理论探索 | 第102-104页 |
| ·Ag 掺杂制备p-型ZnO 薄膜 | 第104-108页 |
| ·ZnO:Ag 薄膜的制备及结构 | 第104-105页 |
| ·ZnO:Ag 薄膜电学性能 | 第105-106页 |
| ·ZnO:Ag 薄膜光学性能 | 第106-108页 |
| ·N 掺杂制备p-型ZnO 薄膜 | 第108-112页 |
| ·ZnO:N 薄膜的制备及结构 | 第108-109页 |
| ·ZnO:N 薄膜电学性能 | 第109-111页 |
| ·ZnO:N 薄膜光学性能 | 第111-112页 |
| ·Ag-N 共掺杂制备p-型ZnO 薄膜 | 第112-119页 |
| ·ZnO(Ag,N)薄膜的制备及结构 | 第112-114页 |
| ·ZnO(Ag,N)薄膜电学性能 | 第114-116页 |
| ·ZnO(Ag,N)薄膜光学性能 | 第116-117页 |
| ·ZnO(Ag,N)薄膜稳定性能研究 | 第117-119页 |
| ·本章结论 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 第六章 ZnO 纳米结构的生长和研究 | 第121-143页 |
| ·引言及技术背景 | 第121页 |
| ·ZnO 纳米结构的生长机理及方法 | 第121-125页 |
| ·ZnO 纳米结构的生长机理 | 第121-124页 |
| ·ZnO 纳米结构的制备 | 第124-125页 |
| ·缓冲层上生长ZnO 纳米结构 | 第125-132页 |
| ·无缓冲层硅片上生长ZnO 纳米结构 | 第125-128页 |
| ·雾化热解法制备缓冲层上生长ZnO 纳米结构 | 第128-130页 |
| ·磁控溅射制备缓冲层上生长ZnO 纳米结构 | 第130-132页 |
| ·催化剂对ZnO 纳米形貌的影响 | 第132-139页 |
| ·Cu 催化制备ZnO 纳米片 | 第132-136页 |
| ·Zn 催化制备ZnO 纳米带 | 第136-139页 |
| ·光学性能 | 第139-141页 |
| ·本章结论 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-143页 |
| 第七章 纳米ZnO 场致电离气敏传感器的制作及气敏性能研究 | 第143-161页 |
| ·气体放电与气体电离式传感器简介 | 第143-149页 |
| ·引言 | 第143-144页 |
| ·ZnO 纳米棒场致电离气敏传感器机理的研究 | 第144-147页 |
| ·电场增强因子数值模拟 | 第147-149页 |
| ·ZnO 纳米棒气体电离式传感器制作 | 第149-150页 |
| ·ZnO 纳米棒气体电离式传感器的结构及制作 | 第149页 |
| ·场致电离气敏性能的测试系统 | 第149-150页 |
| ·ZnO 场致电离传感器敏感特性 | 第150-156页 |
| ·不同形貌的ZnO 纳米棒阳极对器件击穿电压的影响 | 第150-153页 |
| ·不同形貌的ZnO 纳米棒制备器件的响应特征 | 第153-155页 |
| ·ZnO 场致电离传感器对不同气体敏感特性 | 第155-156页 |
| ·ZnO 场致电离传感器动态响应 | 第156-158页 |
| ·对NOx 化合物的动态响应 | 第156-157页 |
| ·对挥发性有机气体的动态响应 | 第157-158页 |
| ·本章结论 | 第158-160页 |
| 参考文献 | 第160-161页 |
| 第八章 静电增强超声雾化热解法制备ZnO 薄膜气敏性能的研究 | 第161-176页 |
| ·引言 | 第161-163页 |
| ·氧化物半导体材料的气敏机理 | 第161页 |
| ·静电增强超声雾化热解制备ZnO 气敏薄膜 | 第161-162页 |
| ·气敏元件制备及气敏性能测试 | 第162-163页 |
| ·ZnO 制备工艺对 NO_2 的气敏性影响 | 第163-169页 |
| ·不同衬底温度制备ZnO 薄膜的气敏性能 | 第163-167页 |
| ·薄膜厚度对气敏性能的影响 | 第167-169页 |
| ·掺杂 ZnO 对 NO_2 气敏性影响 | 第169-173页 |
| ·掺 Al 对 NO_2气敏性影响 | 第169-171页 |
| ·掺 Ag 对 NO_2气敏性影响 | 第171-173页 |
| ·掺杂 ZnO 薄膜对 NO_2的动态响应 | 第173页 |
| ·本章结论 | 第173-175页 |
| 参考文献 | 第175-176页 |
| 第九章 结论与展望 | 第176-180页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第180-181页 |
| 致谢 | 第181-182页 |
