| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·光纤接入工程简介 | 第10页 |
| ·FTTH 的发展历程与最新进展 | 第10-13页 |
| ·用于POF 通信系统的理想光源—RCLED | 第13-14页 |
| ·共振腔发光二极管技术现状 | 第14-15页 |
| ·980nm 共振腔发光二极管 | 第14-15页 |
| ·850-880nm 共振腔发光二极管 | 第15页 |
| ·1300nm 共振腔发光二极管 | 第15页 |
| ·本论文选题的意义 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要工作和成果 | 第16-19页 |
| 第2章 共振腔发光二极管（RCLED） | 第19-35页 |
| ·共振腔发光二极管概述 | 第19-25页 |
| ·腔对偶极子发射图形的修正 | 第19-24页 |
| ·Purcell 效应 | 第24-25页 |
| ·RCLED 结构设计参数 | 第25-30页 |
| ·RCLED 温度特性 | 第30-34页 |
| ·发射光谱随温度的变化 | 第30页 |
| ·远场分布随温度的变化 | 第30-31页 |
| ·输出功率，带宽随温度的变化 | 第31-33页 |
| ·RCLED 的高频特性 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 多有源区共振腔发光二极管纵向结构模拟 | 第35-47页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管概述 | 第35-36页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管内部光场的数值模拟 | 第36-39页 |
| ·内部光场分布的理论模型 | 第36-38页 |
| ·内部光场分布数值模拟结果与分析 | 第38-39页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管远场发射图形的数值模拟 | 第39-43页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管远场发射图形的理论模型 | 第39-41页 |
| ·外部发射光场分布数值模拟结果与分析 | 第41-43页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管发光效率的优化 | 第43-46页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管发光效率理论模型的模拟计算- | 第43-45页 |
| ·多有源区共振腔发光二极管发光效率的模拟计算 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 多有源区共振腔发光二极管的工艺设计 | 第47-51页 |
| ·用于光纤耦合的RCLED 上电极版图 | 第47-48页 |
| ·大功率RCLED 上电极版图 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 共振腔发光二极管的制备与测试 | 第51-69页 |
| ·金属有机物化学气相淀积（MOCVD）概述 | 第51-60页 |
| ·MOCVD 生长机理 | 第52-53页 |
| ·传输化学特性与气相反应 | 第53-57页 |
| ·MOCVD 反应源 | 第57-58页 |
| ·MOCVD 设备 | 第58-60页 |
| ·本实验室5561 系统概述 | 第60页 |
| ·共振腔发光二极管的材料外延 | 第60-65页 |
| ·DBR 材料外延 | 第61-62页 |
| ·量子阱材料外延 | 第62-64页 |
| ·谐振腔材料的外延 | 第64-65页 |
| ·共振腔发光二极管实验结果分析 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |