大气压等离子体抛光工艺仿真分析
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·抛光方法现状 | 第10-11页 |
| ·传统抛光方法简介 | 第10页 |
| ·现代抛光方法简介 | 第10-11页 |
| ·大气压等离子体抛光国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本课题主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 大气压等离子体抛光机理 | 第15-22页 |
| ·大气压等离子体的基本概念 | 第15-18页 |
| ·粒子密度、电离度和温度 | 第15-16页 |
| ·等离子体电中性、导电性与点燃电压 | 第16-18页 |
| ·大气压等离子体的获取 | 第18-19页 |
| ·大气压等离子体抛光机理 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 大气压等离子体抛光工艺仿真 | 第22-34页 |
| ·三种形式等离子体炬流体仿真 | 第22-29页 |
| ·等离子体炬的必须结构参数 | 第22-23页 |
| ·无射口直环形电极式炬流体分析 | 第23-25页 |
| ·带射口直环形电极式炬流体分析 | 第25-27页 |
| ·带射口60°出口环形电极式炬流体分析 | 第27-29页 |
| ·单一参数对大气压等离子体流场的影响 | 第29-33页 |
| ·放电行程 | 第30页 |
| ·放电间隙 | 第30-31页 |
| ·射口直径 | 第31-32页 |
| ·工件距离 | 第32页 |
| ·进气速度 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 大气压等离子体抛光沉积物分析 | 第34-46页 |
| ·仿真模型 | 第34-41页 |
| ·化学仿真 | 第37-41页 |
| ·大气压等离子体抛光沉积物分析 | 第41-44页 |
| ·沉积物可能形式分析 | 第41-42页 |
| ·沉积物分布形式 | 第42-44页 |
| ·实验对比分析 | 第44-45页 |
| ·避免沉积物生成的方法探讨 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 大气压等离子体抛光工作台设计 | 第46-59页 |
| ·工作台方案设计 | 第46-48页 |
| ·传动系统设计 | 第48-49页 |
| ·滚珠丝杠选择 | 第48页 |
| ·联轴器选择 | 第48页 |
| ·导轨选择 | 第48-49页 |
| ·X、Y、Z 平台设计 | 第49页 |
| ·驱动系统设计 | 第49-53页 |
| ·X 向电机选择 | 第50-52页 |
| ·Z 向电机选择 | 第52页 |
| ·炬偏转电机选择 | 第52页 |
| ·伺服阀的选择 | 第52-53页 |
| ·执行系统设计 | 第53页 |
| ·控制系统设计 | 第53-57页 |
| ·数学模型 | 第54-55页 |
| ·控制系统硬件组成 | 第55-57页 |
| ·其它功能设计 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录1 C2F6刻蚀单晶硅体积反应 | 第64-68页 |
| 附录2 抛光系统接口电路 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
