| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-47页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物简介 | 第15-22页 |
| 1.2.1 晶格结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第16-18页 |
| 1.2.3 能谷电子学 | 第18-22页 |
| 1.2.3.1 能谷光学选择定则 | 第18-19页 |
| 1.2.3.2 能谷霍尔效应 | 第19-20页 |
| 1.2.3.3 自旋弛豫机制 | 第20-22页 |
| 1.3 二维过渡金属硫属化合物同/异质结的制备方法 | 第22-28页 |
| 1.3.1 外延生长法 | 第22-25页 |
| 1.3.2 机械转移堆叠法 | 第25-28页 |
| 1.4 二维过渡金属硫属化合物同/异质结的光、电特性 | 第28-34页 |
| 1.4.1 二维过渡金属硫属化合物同/异质结的光学特性 | 第28-31页 |
| 1.4.2 二维过渡金属硫属化合物同/异质结的电学与光电特性 | 第31-34页 |
| 1.5 缺陷在二维过渡金属硫属化合物中的重要性 | 第34-38页 |
| 1.5.1 二维半导体材料中缺陷的类型 | 第34-36页 |
| 1.5.2 二维过渡金属硫属化合物半导体中缺陷的研究现状 | 第36-38页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第38-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 第2章 缺陷对WSe_2同质结光电性能的调控 | 第47-73页 |
| 2.1 引言 | 第47-49页 |
| 2.2 WSe_2同质结样品的制备及表征 | 第49-52页 |
| 2.2.1 WSe_2同质结的制备 | 第49-50页 |
| 2.2.2 WSe_2同质结的表征及测量仪器 | 第50页 |
| 2.2.3 WSe_2同质结的形貌表征 | 第50-51页 |
| 2.2.4 WSe_2同质结的拉曼和电子衍射表征 | 第51-52页 |
| 2.3 WSe_2同质结中电荷分布与激子多体效应 | 第52-62页 |
| 2.3.1 WSe_2同质结的荧光特性 | 第52-53页 |
| 2.3.2 WSe_2同质结中的电荷分布 | 第53-55页 |
| 2.3.3 WSe_2同质结的激子多体效应 | 第55-60页 |
| 2.3.4 WSe_2同质结的元素分析 | 第60-62页 |
| 2.4 WSe_2同质结的电学和光电响应 | 第62-65页 |
| 2.4.1 WSe_2同质结的电学特性 | 第62-63页 |
| 2.4.2 WSe_2同质结的扫描光电流谱 | 第63-65页 |
| 2.4.3 WSe_2同质结的光伏特性 | 第65页 |
| 2.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 第3章 缺陷对WSe_2-WS_2异质结激子寿命和谷极化性能的调控 | 第73-107页 |
| 3.1 引言 | 第73-76页 |
| 3.2 WSe_2-WS_2面外异质结制备 | 第76-79页 |
| 3.2.1 单层WSe_2和WS_2的制备 | 第76-77页 |
| 3.2.2 湿法刻蚀与定点转移制备WSe_2-WS_2面外异质结 | 第77-78页 |
| 3.2.3 WSe_2-WS_2面外异质结堆叠次序 | 第78-79页 |
| 3.3 WSe_2-WS_2面外异质结稳态与瞬态荧光特性 | 第79-88页 |
| 3.3.1 偏振依赖的激发和收集光学测试平台 | 第79-80页 |
| 3.3.2 WSe_2-WS_2异质结的稳态荧光 | 第80-86页 |
| 3.3.3 WSe_2-WS_2异质结的瞬态荧光 | 第86-88页 |
| 3.4 WSe_2-WS_2异质结缺陷束缚激子荧光偏振度的磁场调控与动力分析 | 第88-100页 |
| 3.4.1 WSe_2-WS_2异质结缺陷束缚激子稳态荧光偏振度的磁场调控 | 第88-91页 |
| 3.4.2 磁场调控的异质结层间激子瞬态荧光谱 | 第91-94页 |
| 3.4.3 磁场调控的层间缺陷束缚激子动力学 | 第94-97页 |
| 3.4.4 磁场调控的WSe_2层内激子瞬态荧光谱 | 第97-99页 |
| 3.4.5 磁场调控的WSe_2层内缺陷束缚激子动力学 | 第99-100页 |
| 3.5 本章小结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-107页 |
| 第4章 近共振激发下异质结层间缺陷束缚激子的谷极化反转 | 第107-141页 |
| 4.1 引言 | 第107-109页 |
| 4.2 面外异质结的制备及瞬态荧光测试平台介绍 | 第109-111页 |
| 4.2.1 AB和AA堆叠次序的面外异质结的制备 | 第109-110页 |
| 4.2.2 瞬态荧光测试平台介绍 | 第110-111页 |
| 4.3 近共振激发下层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第111-123页 |
| 4.3.1 WSe_2-WS_2面外异质结的能带结构 | 第111-112页 |
| 4.3.2 近共振激发下AB构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第112-117页 |
| 4.3.2.1 780nm波长激发下AB构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第112-114页 |
| 4.3.2.2 800nm波长激发下AB构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第114-115页 |
| 4.3.2.3 830nm波长激发下AB构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第115-117页 |
| 4.3.3 近共振激发下AA构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第117-123页 |
| 4.3.3.1 780nm波长激发下AA构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第117-119页 |
| 4.3.3.2 810nm波长激发下AA构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第119-121页 |
| 4.3.3.3 830nm波长激发下AA构型层间缺陷束缚激子稳态荧光 | 第121-123页 |
| 4.4 近共振激发下层间缺陷束缚激子瞬态荧光谱 | 第123-136页 |
| 4.4.1 近共振激发下AB构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第123-130页 |
| 4.4.1.1 780nm波长激发下AB构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第123-125页 |
| 4.4.1.2 800nm波长激发下AB构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第125-127页 |
| 4.4.1.3 830nm波长激发下AB构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第127-130页 |
| 4.4.2 近共振激发下AA构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第130-135页 |
| 4.4.2.1 780nm波长激发下AA构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第130-132页 |
| 4.4.2.2 810nm波长激发下AA构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第132-134页 |
| 4.4.2.3 830nm波长激发下AA构型层间缺陷束缚激子瞬态荧光 | 第134-135页 |
| 4.4.3 较大磁场下层间缺陷束缚激子跃迁动力学 | 第135-136页 |
| 4.5 本章小结 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-141页 |
| 第5章 展望 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第145-146页 |
