| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第13-15页 |
| 2 文献综述 | 第15-30页 |
| 2.1 反铁电材料 | 第15-17页 |
| 2.1.1 反铁电材料的发展历史 | 第15-17页 |
| 2.1.2 反铁电材料的应用 | 第17页 |
| 2.2 锆钛酸铅镧反铁电材料 | 第17-29页 |
| 2.2.1 锆钛酸铅镧反铁电材料简介 | 第18页 |
| 2.2.2 PLZT反铁电材料的结构 | 第18-20页 |
| 2.2.3 PLZT反铁电材料的性质 | 第20-26页 |
| 2.2.4 PLZT反铁电厚膜的制备方法 | 第26-29页 |
| 2.3 研究目的和主要内容 | 第29-30页 |
| 2.3.1 研究目的 | 第29页 |
| 2.3.2 研究主要内容 | 第29-30页 |
| 3 PLZT反铁电厚膜的制备及其表征 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验设备及药品 | 第30-32页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第30-31页 |
| 3.2.2 实验材料 | 第31页 |
| 3.2.3 实验环境要求 | 第31-32页 |
| 3.3 底电极的制备 | 第32-33页 |
| 3.3.1 基片的清洗 | 第32页 |
| 3.3.2 LaNiO_3底电极的制备 | 第32-33页 |
| 3.4 PLZT厚膜的制备 | 第33-35页 |
| 3.4.1 PLZT前驱体溶液的制备 | 第33-34页 |
| 3.4.2 PLZT反铁电厚膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.4.3 厚膜电极的制备 | 第35页 |
| 3.5 PLZT厚膜的表征方法 | 第35-40页 |
| 3.5.1 相结构及显微结构分析 | 第35-36页 |
| 3.5.2 反铁电性能的表征 | 第36页 |
| 3.5.3 介电性能表征 | 第36-37页 |
| 3.5.4 反铁电性能测试及储能行为的计算 | 第37-39页 |
| 3.5.5 反铁电厚膜击穿场强测试及计算 | 第39-40页 |
| 4 PLZT反铁电厚膜的制备工艺及参数优化 | 第40-62页 |
| 4.1 溶胶-凝胶法制备PLZT反铁电厚膜的制备及参数优化 | 第40-50页 |
| 4.1.1 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第40-41页 |
| 4.1.2 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第41-42页 |
| 4.1.3 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第42-44页 |
| 4.1.4 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第44-45页 |
| 4.1.5 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第45页 |
| 4.1.6 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第45-47页 |
| 4.1.7 晶化温度T对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.8 晶化温度T对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.9 晶化温度T对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第49-50页 |
| 4.2 PVP改性的PLZT反铁电厚膜的制备及参数优化 | 第50-61页 |
| 4.2.1 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.2 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.3 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚击穿场强的影响 | 第53页 |
| 4.2.4 热处理温度T_1对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.5 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.6 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.7 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜击穿场强的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.8 热处理温度T_2对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第59-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 厚度及组分梯度对反铁电厚膜结构和储能行为的研究 | 第62-73页 |
| 5.1 厚度对PLZT反铁电厚膜和储能行为的影响 | 第62-68页 |
| 5.1.1 厚度对PLZT反铁电厚膜的显微结构的影响 | 第62-64页 |
| 5.1.2 厚度对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.1.3 厚度对PLZT反铁电厚膜击穿电场的影响 | 第65页 |
| 5.1.4 厚度对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第65-68页 |
| 5.2 组分梯度对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第68-72页 |
| 5.2.1 组分梯度对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第68-69页 |
| 5.2.2 组分梯度对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第69-70页 |
| 5.2.3 组分梯度对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第70-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 6 组分对反铁电厚膜结构和储能行为的研究 | 第73-96页 |
| 6.1 镧含量对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第73-79页 |
| 6.1.1 镧含量对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第73-74页 |
| 6.1.2 镧含量对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第74-77页 |
| 6.1.3 镧含量对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第77-79页 |
| 6.2 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第79-83页 |
| 6.2.1 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第79-80页 |
| 6.2.2 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第80-82页 |
| 6.2.3 Zr/Ti比对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第82-83页 |
| 6.3 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第83-90页 |
| 6.3.1 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第84-86页 |
| 6.3.2 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第86-87页 |
| 6.3.3 Zr/Sn比对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第87-90页 |
| 6.4 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第90-94页 |
| 6.4.1 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第90-91页 |
| 6.4.2 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第91-92页 |
| 6.4.3 Sn/Ti比对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第92-94页 |
| 6.5 本章小结 | 第94-96页 |
| 7 锰掺杂对反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第96-105页 |
| 7.1 锰含量对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第96-98页 |
| 7.2 锰含量对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第98-101页 |
| 7.3 锰含量对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第101-104页 |
| 7.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 8 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜的结构和性能的影响 | 第105-117页 |
| 8.1 样品制备 | 第105-106页 |
| 8.1.1 氧化物胶体的制备 | 第105-106页 |
| 8.1.2 氧化物缓冲层和覆盖层的制备 | 第106页 |
| 8.2 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第106-112页 |
| 8.2.1 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第106-108页 |
| 8.2.2 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第108-109页 |
| 8.2.3 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜击穿电场的影响 | 第109-110页 |
| 8.2.4 氧化物缓冲层对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第110-112页 |
| 8.3 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜结构和储能行为的影响 | 第112-116页 |
| 8.3.1 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜显微结构的影响 | 第112-113页 |
| 8.3.2 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜介电性能的影响 | 第113-114页 |
| 8.3.3 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜击穿电场的影响 | 第114页 |
| 8.3.4 ZrO_2覆盖层厚度对PLZT反铁电厚膜储能行为的影响 | 第114-116页 |
| 8.4 本章小结 | 第116-117页 |
| 9 结论 | 第117-119页 |
| 10 创新点 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-131页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第131-134页 |
| 学位论文数据集 | 第134页 |
