| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第16-31页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-18页 |
| 1.1.1 引言 | 第16页 |
| 1.1.2 太阳能制氢技术概况 | 第16-18页 |
| 1.2 半导体光催化剂 | 第18-21页 |
| 1.2.1 半导体光催化剂的定义 | 第18页 |
| 1.2.2 石墨相氮化碳简介 | 第18-20页 |
| 1.2.3 碳化硅简介 | 第20-21页 |
| 1.3 半导体光催化分解水制氢的原理 | 第21-23页 |
| 1.4 半导体光催化分解水制氢的研究现状 | 第23-29页 |
| 1.4.1 半导体光解水制氢技术的改进方法 | 第23-26页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4和SiC的形貌调控 | 第26-27页 |
| 1.4.3 制备g-C_3N_4基和SiC基复合材料 | 第27-28页 |
| 1.4.4 对g-C_3N_4和SiC进行助催化剂贵金属的添加 | 第28页 |
| 1.4.5 助催化剂贵金属的添加方式 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文的研究目标与研究内容 | 第29-31页 |
| 1.5.1 研究目标 | 第29-30页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第30-31页 |
| 第二章 实验部分 | 第31-40页 |
| 2.1 实验材料试剂与仪器设备 | 第31-33页 |
| 2.1.1 实验材料与试剂 | 第31页 |
| 2.1.2 仪器与设备 | 第31-33页 |
| 2.2 实验主要材料的制备 | 第33-35页 |
| 2.2.1 块状石墨相氮化碳(g-C_3N_4-bulk)的制备 | 第33页 |
| 2.2.2 纳米片状石墨相氮化碳(g-C_3N_4-nanosheet)的制备 | 第33页 |
| 2.2.3 植物质提取液的制备 | 第33页 |
| 2.2.4 氯铂酸溶液的配置 | 第33-34页 |
| 2.2.5 贵金属Pt负载的石墨相氮化碳(g-C_3N_4-Pt)的制备 | 第34页 |
| 2.2.6 g-C_3N_4-SiC复合光催化剂的制备 | 第34-35页 |
| 2.2.7 g-C_3N_4-SiC-Pt复合光催化剂的制备 | 第35页 |
| 2.3 光催化剂的形貌与结构表征 | 第35-37页 |
| 2.3.1 扫描电镜 | 第35页 |
| 2.3.2 透射电镜 | 第35-36页 |
| 2.3.3 热重分析 | 第36页 |
| 2.3.4 X射线粉末衍射 | 第36页 |
| 2.3.5 傅里叶转换红外光谱 | 第36页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱 | 第36页 |
| 2.3.7 紫外-可见漫反射光谱 | 第36-37页 |
| 2.3.8 固体光致发光光谱 | 第37页 |
| 2.3.9 低温N_2物理吸附 | 第37页 |
| 2.4 可见光光催化分解水制氢性能评价 | 第37-40页 |
| 2.4.1 可见光分解水制氢反应装置及流程 | 第37-38页 |
| 2.4.2 可见光光催化分解水制氢性能分析 | 第38-40页 |
| 第三章 g-C_3N_4-Pt光催化剂的表征与光解水制氢性能研究 | 第40-59页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 g-C_3N_4光解水制氢的前期条件探索 | 第40-46页 |
| 3.2.1 制备g-C_3N_4的焙烧温度对其结构与光解水制氢活性的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.2 牺牲试剂对g-C_3N_4光解水制氢活性的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.3 形貌调控对g-C_3N_4光解水制氢活性的影响 | 第44-46页 |
| 3.3 g-C_3N_4-Pt最佳制备条件的探索及其光解水制氢活性的分析 | 第46-57页 |
| 3.3.1 不同植物提取液还原Pt对g-C_3N_4-Pt光催化活性的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.2 焙烧温度对g-C_3N_4-Pt光催化活性的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.3 焙烧时间对g-C_3N_4-Pt光催化活性的影响 | 第50页 |
| 3.3.4 g-C_3N_4-Pt与g-C_3N_4-bulk和g-C_3N_4-nanosheet的形貌结构与光学性能比较 | 第50-55页 |
| 3.3.5 植物还原溶胶沉积Pt和光沉积Pt对g-C_3N_4-Pt光解水制氢活性的影响 | 第55-56页 |
| 3.3.6 g-C_3N_4-Pt光解水制氢的稳定性分析 | 第56-57页 |
| 3.4 g-C_3N_4-Pt光解水制氢基本原理探讨 | 第57-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 g-C_3N_4-SiC与g-C_3N_4-SiC-Pt光催化剂的表征与光解水制氢性能研究 | 第59-83页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 g-C_3N_4-SiC制备条件的探索与表征及光解水制氢性能研究 | 第59-69页 |
| 4.2.1 SiC晶型的选择 | 第59-62页 |
| 4.2.2 制备g-C_3N_4-SiC中SiC与g-C_3N_4的最佳质量比探索 | 第62-66页 |
| 4.2.3 制备g-C_3N_4-SiC的最佳焙烧温度探索 | 第66-67页 |
| 4.2.4 制备g-C_3N_4-SiC的最佳焙烧时间探索 | 第67-69页 |
| 4.3 g-C_3N_4-SiC-Pt最佳制备温度探索及其光解水制氢性能研究 | 第69-80页 |
| 4.3.1 g-C_3N_4-SiC-Pt的最佳制备温度探索 | 第69-73页 |
| 4.3.2 g-C_3N_4-SiC-Pt与g-C_3N_4-SiC的形貌结构与光学性能比较 | 第73-78页 |
| 4.3.3 植物还原溶胶沉积Pt和光沉积Pt对g-C_3N_4-SiC-Pt光催化活性的影响 | 第78-80页 |
| 4.3.4 g-C_3N_4-SiC-Pt光解水制氢的稳定性分析 | 第80页 |
| 4.4 g-C_3N_4-SiC-Pt光解水制氢基本原理探讨 | 第80-82页 |
| 4.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 结论与建议 | 第83-85页 |
| 5.1 结论 | 第83-84页 |
| 5.2 建议 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-98页 |
| 在学期间的科研成果 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
