| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 有机分子阻变薄膜的发展与现状 | 第12页 |
| 1.2 器件结构 | 第12-13页 |
| 1.3 电极影响 | 第13-15页 |
| 1.4 薄膜微纳结构 | 第15-19页 |
| 1.4.1 TEM研究 | 第15-16页 |
| 1.4.2 SEM观测 | 第16-18页 |
| 1.4.3 AFM形貌 | 第18-19页 |
| 1.5 分子介质影响 | 第19-24页 |
| 1.6 NPs包埋对薄膜电学特性的影响 | 第24-29页 |
| 1.6.1 NPS种类的影响 | 第24-26页 |
| 1.6.2 NPS浓度和粒径的影响 | 第26-28页 |
| 1.6.3 薄膜结构和厚度的影响 | 第28-29页 |
| 1.6.4 NPs表面改性的影响 | 第29页 |
| 1.7 阻变机理 | 第29-32页 |
| 1.7.1 导电细丝 | 第29-30页 |
| 1.7.2 电荷的捕获与释放 | 第30-32页 |
| 1.7.3 电荷转移 | 第32页 |
| 1.8 机械耐弯曲性 | 第32-35页 |
| 1.9 选题依据和本文工作 | 第35-38页 |
| 第2章 聚合物/纳米粒子界面对复合薄膜阻变特性的影响 | 第38-74页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 PVK包埋TiO_2 NPs薄膜电学特性研究 | 第39-52页 |
| 2.2.0 包埋薄膜制备 | 第39-40页 |
| 2.2.1 典型样品的表面形貌表征 | 第40-41页 |
| 2.2.2 薄膜的电学特性 | 第41-47页 |
| 2.2.3 薄膜中载流子输运机理 | 第47-50页 |
| 2.2.4 理论计算 | 第50-52页 |
| 2.3 PMMA包埋TiO_2 NPs薄膜电学特性研究 | 第52-62页 |
| 2.3.1 包埋薄膜制备 | 第52-53页 |
| 2.3.2 薄膜的电学特性 | 第53-57页 |
| 2.3.3 薄膜中载流子输运机理 | 第57-59页 |
| 2.3.4 理论计算 | 第59-62页 |
| 2.4 PVK包埋ZnO NPs薄膜电学特性研究 | 第62-71页 |
| 2.4.1 包埋薄膜制备 | 第62-63页 |
| 2.4.2 典型样品的表面形貌表征 | 第63页 |
| 2.4.3 薄膜的电学特性 | 第63-68页 |
| 2.4.4 薄膜中载流子输运机理 | 第68-71页 |
| 2.5 本章小结 | 第71-74页 |
| 第3章 弯折对PVK包埋TiO_2 NPs薄膜阻变特性的影响 | 第74-104页 |
| 3.1 引言 | 第74-75页 |
| 3.2 弯折次数对纯PVK薄膜开关特性的影响 | 第75-81页 |
| 3.2.1 包埋薄膜制备 | 第75-76页 |
| 3.2.2 薄膜的电学特性 | 第76-80页 |
| 3.2.3 薄膜中载流子输运机理 | 第80-81页 |
| 3.3 弯折距离对纯PVK薄膜开关特性的影响 | 第81-88页 |
| 3.3.1 包埋薄膜制备与测试 | 第81-82页 |
| 3.3.2 薄膜的电学特性 | 第82-85页 |
| 3.3.3 薄膜中载流子输运机理 | 第85-87页 |
| 3.3.4 弯折对PVK薄膜阻变机理的影响 | 第87-88页 |
| 3.4 弯折次数对PVK包埋1%TiO_2 NPs薄膜开关特性的影响 | 第88-95页 |
| 3.4.1 包埋薄膜制备 | 第88-89页 |
| 3.4.2 典型样品的表面形貌表征 | 第89页 |
| 3.4.3 薄膜的电学特性 | 第89-93页 |
| 3.4.4 薄膜中载流子输运机理 | 第93-95页 |
| 3.5 弯折距离对PVK包埋1%TiO_2 NPs薄膜开关特性的影响 | 第95-102页 |
| 3.5.1 包埋薄膜制备与测试 | 第95页 |
| 3.5.2 薄膜的电学特性 | 第95-99页 |
| 3.5.3 薄膜中载流子输运机理 | 第99-100页 |
| 3.5.4 弯折对包埋薄膜阻变机理的影响 | 第100-102页 |
| 3.6 本章小结 | 第102-104页 |
| 第4章 电极/介质层界面对复合薄膜阻变特性的影响 | 第104-128页 |
| 4.1 引言 | 第104-105页 |
| 4.2 电极对PVK包埋1% TiO_2 NPs薄膜阻变特性的影响 | 第105-110页 |
| 4.2.1 电极及器件制备 | 第105页 |
| 4.2.2 薄膜的电学特性 | 第105-109页 |
| 4.2.3 下电极的工作机制 | 第109-110页 |
| 4.3 弯折对Galn/PVK-TiO_2 NPs/下电极器件阻变特性的影响 | 第110-115页 |
| 4.3.1 器件的弯折与测试 | 第110-111页 |
| 4.3.2 薄膜的电学特性 | 第111-114页 |
| 4.3.3 弯折对复合薄膜阻变机理的影响探究 | 第114-115页 |
| 4.4 Au、Al和Cu电极器件的耐弯折性 | 第115-126页 |
| 4.4.1 器件的弯折与测试 | 第115页 |
| 4.4.2 Au电极器件的电学特性 | 第115-119页 |
| 4.4.3 Al电极器件的电学特性 | 第119-122页 |
| 4.4.4 Cu电极器件的电学特性 | 第122-126页 |
| 4.5 本章小结 | 第126-128页 |
| 第5章 总结与展望 | 第128-130页 |
| 5.1 研究结论 | 第128-129页 |
| 5.2 研究展望 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第146页 |
