| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 OVT的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.3 课题研究的意义 | 第10-11页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 基于Pockels效应OVT的基本原理 | 第13-27页 |
| 2.1 Pockels效应 | 第13-14页 |
| 2.2 Pockels效应对晶体折射率的影响 | 第14-18页 |
| 2.2.1 晶体折射率椭球理论 | 第14-15页 |
| 2.2.2 Pockels效应对晶体折射率的影响 | 第15-18页 |
| 2.3 基于Pockels效应OVT的检测原理 | 第18-24页 |
| 2.3.1 调制方式 | 第19-21页 |
| 2.3.2 偏光干涉光强检测原理 | 第21-24页 |
| 2.4 偏光干涉光强检测原理的局限性 | 第24-26页 |
| 2.4.1 晶体半波电压的限制 | 第24-25页 |
| 2.4.2 温漂问题 | 第25页 |
| 2.4.3 附加线双折射的影响 | 第25-26页 |
| 2.4.4 光的传输损耗 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于Pockels效应OVT的常见结构及分析 | 第27-34页 |
| 3.1 OVT的基本结构 | 第27-28页 |
| 3.2 电容分压式OVT | 第28-30页 |
| 3.2.1 高压电容分压器的原理与构成 | 第28页 |
| 3.2.2 电容分压式OVT常见结构 | 第28-30页 |
| 3.3 无容分压式OVT | 第30-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 多片晶体叠层纵向调制OVT内电场优化设计 | 第34-51页 |
| 4.1 电场仿真分析 | 第34-38页 |
| 4.1.1 静电场仿真原理 | 第34-36页 |
| 4.1.2 有限元方法 | 第36-37页 |
| 4.1.3 电磁场有限元仿真软件介绍 | 第37-38页 |
| 4.2 多片晶体叠层的纵向调制OVT分析 | 第38-43页 |
| 4.2.1 晶体偏移对测量结果的影响 | 第41-43页 |
| 4.2.2 光路偏移对测量结果的影响 | 第43页 |
| 4.3 改善内电场分布的方法 | 第43-46页 |
| 4.3.1 介质分层法的提出 | 第43-45页 |
| 4.3.2 改善后的积分电压误差 | 第45-46页 |
| 4.4 实验验证 | 第46-50页 |
| 4.4.1 实验装置 | 第46-48页 |
| 4.4.2 实验过程与结果 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 新型无容分压式OVT内电场优化设计 | 第51-69页 |
| 5.1 基于会聚偏光干涉原理的新型无容分压式OVT | 第51-61页 |
| 5.1.1 会聚偏光干涉检测原理 | 第51-52页 |
| 5.1.2 新型无容分压式OVT结构设计 | 第52-61页 |
| 5.2 内电场分布的误差分析 | 第61-63页 |
| 5.2.1 晶体偏移对测量的影响 | 第62-63页 |
| 5.2.2 光路偏移对测量的影响 | 第63页 |
| 5.3 改善内电场分布的方法 | 第63-66页 |
| 5.3.1 介质包裹法的提出 | 第63-64页 |
| 5.3.2 介质包裹法的优化 | 第64-66页 |
| 5.4 实验验证 | 第66-68页 |
| 5.4.1 实验装置 | 第66-67页 |
| 5.4.2 实验过程与结果 | 第67-68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论与展望 | 第69-71页 |
| 主要成果及结论 | 第69-70页 |
| 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第76页 |