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表面吸附体系非弹性电子隧穿谱的研究

摘要第4-6页
Abstract第6页
第1章 导论第7-15页
    1.1 选题的背景及研究意义第7-9页
        1.1.1 问题产生的背景第7-8页
        1.1.2 本选题的目的第8页
        1.1.3 研究价值和意义第8-9页
    1.2 国内外的相关研究进展第9-12页
        1.2.1 国外的相关研究进展第9-11页
        1.2.2 国内的相关研究进展第11-12页
    1.3 本文的内容结构及方法思路第12-15页
        1.3.1 本文侧重研究的内容第12-13页
        1.3.2 整体结构及框架第13页
        1.3.3 主要方法和思路第13-15页
第2章 研究的相关理论基础及方法第15-25页
    2.1 基于波函数的电子结构计算方法第15-17页
        2.1.1 非相对论近似第15-16页
        2.1.2 玻恩—奥本海默近似第16页
        2.1.3 单电子近似第16-17页
    2.2 密度泛函理论第17-22页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第17-19页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第19-20页
        2.2.3 交换相关泛函第20-22页
    2.3 本文采用的计算工具及方法第22-24页
        2.3.1 MaterialsStudio、VASP、VESTA、origin软件的功能第22-24页
        2.3.2 计算技术条件及可靠性第24页
    2.4 本章小结第24-25页
第3章 Ag(100)表面非弹性电子隧穿谱的研究第25-36页
    3.1 非弹性电子隧穿第25-29页
        3.1.1 量子隧穿原理第25-26页
        3.1.2 非弹性电子隧穿谱的相关性质第26-27页
        3.1.3 非弹性电子隧穿谱的特点第27-29页
    3.2 扫描隧道显微镜与非弹性电子隧穿谱的结合第29-32页
        3.2.1 扫描隧道显微镜的原理第29页
        3.2.2 扫描隧道显微镜的工作模式及应用第29-32页
        3.2.3 STM-IETS技术第32页
    3.3 CO@Ag(100)体系的IETS计算第32-35页
        3.3.1 计算方法和计算模型第32-34页
        3.3.2 振动能量计算和IETS图像第34页
        3.3.3 计算结果与讨论第34-35页
    3.4 本章小结第35-36页
第4章 利用IETS对CO@Cu(100)体系的研究第36-47页
    4.1 CO@Cu(100)体系的IETS第36-40页
        4.1.1 计算方法与理论模型第36-38页
        4.1.2 计算结果与实验的对比第38-39页
        4.1.3 结果分析与讨论第39-40页
    4.2 CO@Cu(100)缺陷体系的IETS第40-43页
        4.2.1 计算方法与理论模型第40-41页
        4.2.2 态密度与IETS计算第41-43页
        4.2.3 结果分析与讨论第43页
    4.3 CO@Cu(100)完美和缺陷体系的对比第43-45页
        4.3.1 吸附模型及振动模式的比较第43-44页
        4.3.2 IETS图像对比第44-45页
        4.3.3 结果分析与讨论第45页
    4.4 本章小结第45-47页
第5章 总结与展望第47-52页
    5.1 研究成果总结第47-49页
        5.1.1 研究情况总结第47-48页
        5.1.2 主要成果与结论第48-49页
    5.2 主要创新点和研究意义第49-50页
        5.2.1 本研究的主要创新点第49-50页
        5.2.2 研究的意义第50页
    5.3 今后的研究和展望第50-52页
        5.3.1 今后的研究方向第51页
        5.3.2 研究展望第51-52页
致谢第52-53页
参考文献第53-55页

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