摘要 | 第5-8页 |
abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第14-37页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第14-15页 |
1.2 高压低阻功率LDMOS新结构简介 | 第15-26页 |
1.3 高速低损耗IGBT新结构简介 | 第26-34页 |
1.4 本文的主要贡献与创新 | 第34-37页 |
第二章 高压强电导薄SOILDMOS新结构研究 | 第37-65页 |
2.1 AEG/JFPSOILDMOS两种高压新结构与机理研究 | 第37-46页 |
2.1.1 器件结构特征 | 第37-39页 |
2.1.2 器件工作机理 | 第39-43页 |
2.1.3 积累型电流输运模式 | 第43-46页 |
2.2 AEG/JFPSOILDMOS模型分析 | 第46-51页 |
2.2.1 导通电阻模型 | 第46-48页 |
2.2.2 耐压模型分析 | 第48-51页 |
2.3 AEG/JFPSOILDMOS结构参数优化研究 | 第51-58页 |
2.3.1 电荷平衡与电场优化分析 | 第51-56页 |
2.3.2 场介质层参数分析 | 第56-57页 |
2.3.3 界面电荷影响分析 | 第57-58页 |
2.4 AEG/JFPSOILDMOS温度特性研究 | 第58-60页 |
2.5 AEG/JFPSOILDMOS动态特性研究 | 第60-62页 |
2.6 AEG/JFPSOILDMOS工艺方案研究 | 第62-64页 |
2.7 本章小结 | 第64-65页 |
第三章 电导增强型高压体硅LDMOS新结构研究 | 第65-92页 |
3.1 JFP/AEGNFLLDMOS新结构与机理研究 | 第65-71页 |
3.1.1 器件结构特征 | 第65-66页 |
3.1.2 器件工作机理 | 第66-71页 |
3.2 JFP/AEGNFLLDMOS结构参数优化研究 | 第71-77页 |
3.2.1 掺杂浓度优化分析 | 第72-73页 |
3.2.2 NFL层位置分析 | 第73-75页 |
3.2.3 PBL层长度分析 | 第75-77页 |
3.3 JFP/AEGPFLPLDMOS实验验证 | 第77-85页 |
3.3.1 工艺流程设计 | 第77-82页 |
3.3.2 版图设计 | 第82页 |
3.3.3 实验结果测试与分析 | 第82-85页 |
3.4 JFP/AEG结构工作原理实验验证 | 第85-90页 |
3.4.1 工艺流程设计 | 第86-89页 |
3.4.2 实验结果测试与分析 | 第89-90页 |
3.5 本章小结 | 第90-92页 |
第四章 高速低损耗CTGRC-IGBT新结构研究 | 第92-111页 |
4.1 CTGRC-IGBT新结构与机理研究 | 第92-96页 |
4.1.1 器件结构特征 | 第92-93页 |
4.1.2 器件工作机理 | 第93-96页 |
4.2 CTGRC-IGBT阻断特性研究 | 第96-98页 |
4.3 CTGRC-IGBT导通特性研究 | 第98-101页 |
4.3.1 Snapback现象抑制分析 | 第98-100页 |
4.3.2 导通输出特性曲线分析 | 第100-101页 |
4.4 CTGRC-IGBT动态特性研究 | 第101-108页 |
4.4.1 关断特性分析 | 第101-107页 |
4.4.2 反向恢复特性分析 | 第107-108页 |
4.5 CTGRC-IGBT工艺方案研究 | 第108-110页 |
4.6 本章小结 | 第110-111页 |
第五章 可集成高速低损耗MCSALIEGT新结构研究 | 第111-127页 |
5.1 MCSALIEGT新结构与机理研究 | 第111-114页 |
5.1.1 器件结构特征 | 第111-112页 |
5.1.2 器件工作机理 | 第112-114页 |
5.2 MCSALIEGT静态特性研究 | 第114-118页 |
5.2.1 导通特性 | 第114-116页 |
5.2.2 阻断特性 | 第116-118页 |
5.3 MCSALIEGT动态特性研究 | 第118-125页 |
5.3.1 关断特性 | 第118-122页 |
5.3.2 参数Tb优化分析 | 第122-125页 |
5.4 MCSALIEGT工艺方案研究 | 第125-126页 |
5.5 本章小结 | 第126-127页 |
第六章 全文总结与展望 | 第127-130页 |
6.1 全文总结 | 第127-129页 |
6.2 后续工作展望 | 第129-130页 |
致谢 | 第130-132页 |
参考文献 | 第132-146页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第146-150页 |