硅基铜薄膜制备及其激光冲击改性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·研究背景 | 第11-15页 |
| ·集成电路技术的发展趋势 | 第11-12页 |
| ·集成电路对引线框架材料的要求 | 第12-13页 |
| ·国外引线框架材料的使用现状 | 第13-14页 |
| ·铜基IC引线框架材料的开发和使用现状 | 第14页 |
| ·高强度高导电铜基IC引线框架材料的开发现状 | 第14-15页 |
| ·激光冲击处理技术的原理 | 第15-16页 |
| ·研究目的及意义 | 第16-17页 |
| ·本论文研究的内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜及其制备原理 | 第18-24页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第18-20页 |
| ·薄膜生长及过程 | 第18-20页 |
| ·磁控溅射制备薄膜原理 | 第20-24页 |
| ·溅射现象及机理 | 第20-22页 |
| ·磁控溅射基本原理 | 第22-24页 |
| 第三章 样品制备与测试方法 | 第24-30页 |
| ·样品制备 | 第24-26页 |
| ·实验设备简介 | 第24页 |
| ·基片前处理 | 第24-25页 |
| ·靶材 | 第25页 |
| ·薄膜制备过程 | 第25-26页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第26-30页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第26页 |
| ·扫描电镜(SEM)测试 | 第26页 |
| ·原子力显微镜(AFM)测试 | 第26-27页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)测试 | 第27页 |
| ·薄膜的电学性能的测试 | 第27-28页 |
| ·力学性能的测试 | 第28-30页 |
| 第四章 磁控溅射制备Cu薄膜的结构与性能的研究 | 第30-50页 |
| ·溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响 | 第30-36页 |
| ·溅射功率对Cu薄膜沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| ·溅射功率对Cu薄膜表面形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·溅射功率对Cu薄膜织构的影响 | 第33-35页 |
| ·溅射功率对Cu薄膜电学性能的影响 | 第35-36页 |
| ·硬度和弹性模量 | 第36页 |
| ·基片温度 | 第36-46页 |
| ·基片温度对Cu薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·基片温度对薄膜表面粗糙度的影响 | 第39-40页 |
| ·薄膜生长机理的探讨 | 第40页 |
| ·基片温度对Cu薄膜织构的影响 | 第40-42页 |
| ·基片温度对硅基铜薄膜的电学性能的影响 | 第42-43页 |
| ·硬度和弹性模量 | 第43-46页 |
| ·溅射气压对铜薄膜的影响 | 第46-50页 |
| ·溅射气压对成膜速率的影响 | 第46-47页 |
| ·溅射气压对电阻率的影响 | 第47-48页 |
| ·硬度和弹性模量 | 第48-50页 |
| 第五章 激光冲击Cu薄膜实验研究 | 第50-60页 |
| ·激光冲击的力学效应 | 第50页 |
| ·激光冲击试验装置 | 第50-51页 |
| ·实验材料和实验过程 | 第51-53页 |
| ·激光冲击硅基铜薄膜的结果与分析 | 第53-60页 |
| ·激光冲击处理前后Cu薄膜表面形貌的变化 | 第53-55页 |
| ·激光冲击前后Cu力学性能的变化 | 第55-58页 |
| ·激光冲击前后Cu薄膜电学性能的变化 | 第58-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·总结 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 在读学位期间发表的论文 | 第67页 |
