| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 缩略词 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 三维阵列方向图综合研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 四维天线阵的副瓣抑制 | 第14-15页 |
| 1.2.3 稀疏阵列副瓣抑制 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 时间调制天线阵的理论基础 | 第19-33页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 四维天线阵的阵列结构及辐射模型 | 第19-23页 |
| 2.2.1 阵列结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 阵列辐射模型 | 第20-23页 |
| 2.3 时间调制方式 | 第23-30页 |
| 2.3.1 可变孔径尺寸(VAS)调制 | 第24-25页 |
| 2.3.2 单向相位中心移动(UPCM)调制 | 第25-26页 |
| 2.3.3 双向相位中心移动(BPCM)调制 | 第26-27页 |
| 2.3.4 脉冲移动(PS)调制 | 第27-28页 |
| 2.3.5 分段优化时间步(SOTS)调制 | 第28-30页 |
| 2.4 辐射方向图参数 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 基于凸优化算法的四维稀布线阵副瓣抑制 | 第33-57页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 凸优化算法的基本原理 | 第33-34页 |
| 3.3 基于凸优化算法的四维均匀稀布线阵副瓣抑制 | 第34-42页 |
| 3.3.1 四维均匀稀布线阵建模及优化目标函数构造 | 第34-36页 |
| 3.3.2 基于凸优化算法的四维均匀稀布线阵副瓣抑制仿真分析 | 第36-42页 |
| 3.4 基于PSO-CVX算法的四维稀布线阵副瓣抑制 | 第42-53页 |
| 3.4.1 粒子群算法原理 | 第42-43页 |
| 3.4.2 四维非均匀稀布线阵建模及优化目标函数构造 | 第43-46页 |
| 3.4.3 基于PSO-CVX算法的四维稀布线阵副瓣抑制仿真分析 | 第46-53页 |
| 3.5 边带电平分析 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 基于改进的PSO-CVX算法的四维稀布线阵边带抑制 | 第57-72页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 PS调制方式下的四维稀布阵优化目标模型 | 第57-61页 |
| 4.2.1 PS调制方式下阵列辐射模型 | 第57-59页 |
| 4.2.2 改进的四维稀布阵优化目标模型 | 第59-61页 |
| 4.3 基于副瓣电平约束的四维稀布线阵边带抑制仿真 | 第61-69页 |
| 4.3.1 等幅同相激励稀布线阵仿真结果 | 第62-65页 |
| 4.3.2 等幅非同相激励稀布线阵仿真结果 | 第65-69页 |
| 4.4 对比试验 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结束语 | 第72-75页 |
| 5.1 全文总结 | 第72-73页 |
| 5.2 工作展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第82-83页 |
