| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 纳米技术、纳米材料概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 零维纳米结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 一维纳米结构 | 第12页 |
| 1.2.3 二维纳米结构 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米材料的基本性质 | 第13-17页 |
| 1.3.1 量子尺寸效应 | 第14-15页 |
| 1.3.2 表面效应 | 第15页 |
| 1.3.3 量子隧道效应 | 第15-16页 |
| 1.3.4 库伦阻塞效应 | 第16-17页 |
| 1.4 合成纳米材料的方法 | 第17-24页 |
| 1.4.1 生长机理简介 | 第17-19页 |
| 1.4.2 液相生长法 | 第19-20页 |
| 1.4.3 气相生长法 | 第20-22页 |
| 1.4.4 固相生长法 | 第22页 |
| 1.4.5 模板生长法 | 第22页 |
| 1.4.6 范德瓦尔斯外延生长法 | 第22-23页 |
| 1.4.7 图形外延法 | 第23-24页 |
| 1.5 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米器件 | 第24-30页 |
| 1.5.1 生物荧光标记 | 第24-25页 |
| 1.5.2 光电探测器 | 第25-26页 |
| 1.5.3 纳米线场效应晶体管 | 第26-29页 |
| 1.5.4 纳米激光器 | 第29-30页 |
| 1.6 本论文的研究背景、目的意义和内容 | 第30-33页 |
| 1.6.1 研究背景 | 第30-31页 |
| 1.6.2 研究目的和意义 | 第31-32页 |
| 1.6.3 研究内容 | 第32-33页 |
| 第2章 GaSb纳米线的合成及其光电性质研究 | 第33-45页 |
| 2.1 研究目的与意义 | 第33页 |
| 2.2 实验部分 | 第33-34页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第33-34页 |
| 2.2.2 样品表征和测试仪器 | 第34页 |
| 2.3 GaSb纳米结构的制备 | 第34-40页 |
| 2.3.1 GaSb纳米结构合成装置 | 第34-35页 |
| 2.3.2 反应源未掺活性炭的GaSb纳米线的制备 | 第35-37页 |
| 2.3.3 反应源掺活性炭的GaSb纳米线的合成 | 第37-40页 |
| 2.4 GaSb纳米线光电响应特性 | 第40-44页 |
| 2.4.1 晶体管制备 | 第40-43页 |
| 2.4.2 器件性能测试分析 | 第43-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 GaInAsSb合金纳米线的制备及其光电性能研究 | 第45-60页 |
| 3.1 研究目的与意义 | 第45-46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第46-47页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第47页 |
| 3.2.3 GaInAsSb合金纳米线的制备 | 第47-48页 |
| 3.3 GaInAsSb四元合金纳米线的表征 | 第48-49页 |
| 3.3.1 扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)表征 | 第48-49页 |
| 3.3.2 X射线衍射(XRD)表征 | 第49页 |
| 3.3.3 光学性质表征 | 第49页 |
| 3.4 结果与分析 | 第49-54页 |
| 3.4.1 GaInAsSb四元合金纳米线的SEM表征结果与分析 | 第49-50页 |
| 3.4.2 GaInAsSb四元合金纳米线的XRD表征结果与分析 | 第50-51页 |
| 3.4.3 GaInAsSb四元合金纳米线的TEM表征结果与分析 | 第51-52页 |
| 3.4.4 Ga0.75In0.25As0.49Sb0.51纳米线的光学性质表征结果与分析 | 第52-53页 |
| 3.4.5 Ga0.75In0.25As0.49Sb0.51纳米线的形成机理 | 第53-54页 |
| 3.5 Ga0.75In0.25As0.49Sb0.51纳米线光电响应特性 | 第54-58页 |
| 3.5.1 实验原料 | 第54-55页 |
| 3.5.2 实验仪器 | 第55页 |
| 3.5.3 晶体管制备 | 第55-56页 |
| 3.5.4 结果分析与讨论 | 第56-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 附录 A攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
