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基于介尺度结构的硅烷流化床制备多晶硅的多尺度流动和反应模拟

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 文献综述第18-32页
    1.1 引言第18-20页
    1.2 硅烷流化床法制备多晶硅工艺第20-22页
        1.2.1 工艺介绍第20-21页
        1.2.2 技术难点第21-22页
    1.3 硅烷流化床法制备多晶硅的研究现状第22-24页
        1.3.1 实验研究第22-23页
        1.3.2 模拟研究第23-24页
    1.4 气固流化床模拟研究第24-29页
        1.4.1 气固流化床概述第24-26页
        1.4.2 气固流化床中的多尺度特征与介尺度模型第26-27页
        1.4.3 CFD模型第27-29页
    1.5 本文研究内容第29-32页
第二章 基于介尺度结构的DDPM模型的参数研究第32-46页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 数学模型第33-35页
    2.3 实验简介与模拟设置第35-38页
    2.4 结果与讨论第38-45页
        2.4.1 网格大小的影响第38-39页
        2.4.2 parcel大小对颗粒浓度分布的影响第39-41页
        2.4.3 parcel大小对计算速度的影响第41-43页
        2.4.4 parcel大小对气泡的影响第43-45页
    2.5 本章小结第45-46页
第三章 DDPM模型与TFM模型对于气固流化床的流动对比研究第46-58页
    3.1 引言第46-47页
    3.2 数学模型第47-48页
    3.3 实验简介第48-49页
    3.4 模拟设置与网格第49-50页
    3.5 结果与讨论第50-57页
        3.5.1 不同气速下床层流化高度对比第50-52页
        3.5.2 颗粒浓度轴向分布第52-54页
        3.5.3 颗粒浓度径向分布第54-56页
        3.5.4 颗粒速度分布第56-57页
    3.6 本章小结第57-58页
第四章 基于介尺度结构的硅烷流化床制备多晶硅的反应模拟第58-70页
    4.1 引言第58页
    4.2 实验研究第58-59页
    4.3 模拟计算第59-63页
        4.3.1 模型描述第59-61页
        4.3.2 模拟设置第61-63页
    4.4 结果与讨论第63-67页
        4.4.1 网格无关性分析第63页
        4.4.2 硅烷入口浓度的影响第63-64页
        4.4.3 反应温度的影响第64-66页
        4.4.4 物料浓度分布对比第66-67页
    4.5 本章小结第67-70页
第五章 结论与展望第70-72页
    5.1 结论第70-71页
    5.2 本论文的创新点第71页
    5.3 展望第71-72页
参考文献第72-76页
致谢第76-78页
研究成果及发表的学术论文第78-80页
作者和导师简介第80-82页
附件第82-83页

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