| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 二维材料 | 第11-13页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第11-12页 |
| 1.1.2 其它二维材料的兴起 | 第12-13页 |
| 1.2 范德瓦尔斯异质结 | 第13-19页 |
| 1.2.1 异质结的提出 | 第13-15页 |
| 1.2.2 异质结的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 TMDs/石墨烯异质结光电探测器 | 第16-19页 |
| 1.3 本文的研究内容及结构 | 第19-20页 |
| 第二章 异质结及其器件的制备 | 第20-34页 |
| 2.1 异质结样品的制备 | 第20-25页 |
| 2.1.1 微机械剥离 | 第20-22页 |
| 2.1.2 定点转移技术 | 第22-25页 |
| 2.2 异质结样品的表征 | 第25-30页 |
| 2.2.1 石墨烯的表征 | 第25-27页 |
| 2.2.2 WSe_2的表征 | 第27-29页 |
| 2.2.3 WSe_2/石墨烯异质结的表征 | 第29-30页 |
| 2.3 背栅型场效应晶体管器件的制备 | 第30-33页 |
| 2.3.1 电子束曝光 | 第30-32页 |
| 2.3.2 电子束镀膜及剥离 | 第32页 |
| 2.3.3 其它工艺 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 石墨烯与WSe_2的基本输运特性 | 第34-45页 |
| 3.1 测试设备与方法 | 第34-36页 |
| 3.1.1 基于光纤耦合的探针测试平台 | 第34-35页 |
| 3.1.2 场效应晶体管电学性能测试方法 | 第35-36页 |
| 3.1.3 光电探测器测试参数 | 第36页 |
| 3.2 石墨烯的电子输运特性 | 第36-40页 |
| 3.2.1 场效应特性曲线 | 第36-39页 |
| 3.2.2 石墨电极过渡层 | 第39-40页 |
| 3.3 少层WSe_2的光电特性 | 第40-44页 |
| 3.3.1 器件结构及材料表征 | 第40-41页 |
| 3.3.2 场效应特性曲线 | 第41-42页 |
| 3.3.3 光电性能 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 WSe_2/石墨烯异质结光电特性研究 | 第45-59页 |
| 4.1 WSe_2/石墨烯异质结能带偏移的电-光双调制效应 | 第45-52页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第45-46页 |
| 4.1.2 实验细节 | 第46-47页 |
| 4.1.3 结果与讨论 | 第47-51页 |
| 4.1.4 结论 | 第51-52页 |
| 4.2 快速清除定点转移遗留残胶的紫外臭氧清洗方法 | 第52-58页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第52-53页 |
| 4.2.2 实验细节 | 第53-54页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第54-57页 |
| 4.2.4 结论 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 论文的主要工作及结论 | 第59-60页 |
| 5.2 主要创新点 | 第60页 |
| 5.3 不足与展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第70页 |