| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 硅纳米线的物理性质 | 第11-13页 |
| 1.2.1 硅纳米线的场发射特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 硅纳米线的电子传输特性 | 第12页 |
| 1.2.3 硅纳米线的热电效应 | 第12页 |
| 1.2.4 硅纳米线的光学性能 | 第12-13页 |
| 1.3 硅纳米线的制备方法 | 第13-19页 |
| 1.3.1 激光烧蚀法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 1.3.3 反应离子刻蚀法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 金属辅助化学刻蚀法 | 第16-19页 |
| 1.4 硅纳米线碳复合结构的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.4.1 一步合成法 | 第19-20页 |
| 1.4.2 两步合成法 | 第20-21页 |
| 1.5 硅纳米线减反特性研究现状 | 第21-23页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 硅纳米线阵列的制备与表征 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-32页 |
| 2.2.1 刻蚀时间对硅纳米线形貌的影响 | 第24-26页 |
| 2.2.2 反应温度对硅纳米线形貌的影响 | 第26-28页 |
| 2.2.3 硝酸银浓度对硅纳米线形貌的影响 | 第28-30页 |
| 2.2.4 H_2O_2度对硅纳米线形貌的影响 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 硅纳米线/碳纳米球、硅纳米线/碳纳米管复合阵列的制备与表征 | 第34-40页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 硅纳米线/碳纳米球的制备及表征 | 第34-36页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 样品的表征与结果分析 | 第35-36页 |
| 3.3 硅纳米线/碳纳米管的制备及表征 | 第36-38页 |
| 3.3.1 样品的制备 | 第36-37页 |
| 3.3.2 样品的表征与结果分析 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 硅纳米线及其复合阵列的光学特性研究 | 第40-56页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 不同条件下对硅纳米线阵列光学特性的影响 | 第40-53页 |
| 4.2.1 HF-H_2O_2混合溶液中H_2O_2浓度对光学反射率的影响 | 第41-43页 |
| 4.2.2 刻蚀时间对硅纳米线阵列对光学反射率的影响 | 第43-46页 |
| 4.2.3 硝酸银浓度对硅纳米线阵列对光学反射率的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.4 不同类型的硅纳米线复合阵列对光学反射率的影响 | 第47-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的科研成果 | 第66-67页 |
