| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 热电材料的研究背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 热电学基础 | 第12-14页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第13页 |
| 1.2.2 帕尔贴效应 | 第13-14页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第14页 |
| 1.3 热电输运特性 | 第14-18页 |
| 1.3.1 塞贝克系数 | 第14-15页 |
| 1.3.2 电导率 | 第15-16页 |
| 1.3.3 热导率 | 第16-18页 |
| 1.4 第一性原理计算的基础知识 | 第18-20页 |
| 1.4.1 第一性原理计算的背景及意义 | 第18页 |
| 1.4.2 密度泛函理论 | 第18-20页 |
| 1.4.2.1 hohenberg-Kohn定理 | 第19页 |
| 1.4.2.2 Kohn-Sham方程 | 第19页 |
| 1.4.2.3 局域密度近似 | 第19-20页 |
| 1.4.2.4 广义梯度近似 | 第20页 |
| 1.5 第一布里渊区 | 第20-21页 |
| 1.6 计算使用的软件介绍 | 第21-24页 |
| 1.6.1 WIEN2k | 第21-23页 |
| 1.6.2 BoltzTraP | 第23页 |
| 1.6.3 计算的具体步骤 | 第23-24页 |
| 1.7 本文研究意义和主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 Ba_8Si_(46)的第一性原理计算 | 第26-34页 |
| 2.1 研究背景及意义 | 第26-27页 |
| 2.2 晶体结构及优化 | 第27-28页 |
| 2.3 电子结构性质 | 第28-30页 |
| 2.3.1 状态密度 | 第29-30页 |
| 2.3.2 能带结构 | 第30页 |
| 2.4 输运性质 | 第30-33页 |
| 2.4.1 塞贝克系数 | 第31-32页 |
| 2.4.2 电阻率 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 Ba_8C_xSi_(46-x)的第一性原理计算 | 第34-55页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第34页 |
| 3.2 晶体结构及优化 | 第34-38页 |
| 3.3 电子结构性质 | 第38-45页 |
| 3.3.1 状态密度 | 第38-42页 |
| 3.3.1.1 Ba_8C_6Si_(40)的状态密度 | 第38-39页 |
| 3.3.1.2 Ba_8C_(16)Si_(30)的状态密度 | 第39-40页 |
| 3.3.1.3 Ba_8C_(22)Si_(24)的状态密度 | 第40-41页 |
| 3.3.1.4 Ba_8C_(24)Si_(22)的状态密度 | 第41-42页 |
| 3.3.2 能带结构 | 第42-45页 |
| 3.3.2.1 Ba_8C_6Si_(40)的能带结构 | 第42-43页 |
| 3.3.2.2 Ba_8C_(16)Si_(30)的能带结构 | 第43页 |
| 3.3.2.3 Ba_8C_(22)Si_(24)的能带结构 | 第43-44页 |
| 3.3.2.4 Ba_8C_(24)Si_(22)的能带结构 | 第44-45页 |
| 3.4 输运性质 | 第45-54页 |
| 3.4.1 塞贝克系数 | 第45-50页 |
| 3.4.1.1 Ba_8C_6Si_(40)的塞贝克系数 | 第45-46页 |
| 3.4.1.2 Ba_8C_(16)Si_(30)的塞贝克系数 | 第46-47页 |
| 3.4.1.3 Ba_8C_(22)Si_(24)的塞贝克系数 | 第47-49页 |
| 3.4.1.4 Ba_8C_(24)Si_(22)的塞贝克系数 | 第49-50页 |
| 3.4.2 电阻率 | 第50-54页 |
| 3.4.2.1 Ba_8C_6Si_(40)的电阻率 | 第50-51页 |
| 3.4.2.2 Ba_8C_(16)Si_(30)的电阻率 | 第51-52页 |
| 3.4.2.3 Ba_8C_(22)Si_(24)的电阻率 | 第52-53页 |
| 3.4.2.4 Ba_8C_(24)Si_(22)的电阻率 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 X_8Si_(46)(X=Pb,Eu)的第一性原理计算 | 第55-67页 |
| 4.1 研究背景及意义 | 第55页 |
| 4.2 晶体结构及优化 | 第55-57页 |
| 4.3 电子结构性质 | 第57-61页 |
| 4.3.1 状态密度 | 第58-60页 |
| 4.3.1.1 Pb_8Si_(46)的状态密度 | 第58-59页 |
| 4.3.1.2 Eu_8Si_(46)的状态密度 | 第59-60页 |
| 4.3.2 能带结构 | 第60-61页 |
| 4.3.2.1 Pb_8Si_(46)的能带结构 | 第60页 |
| 4.3.2.2 Eu_8Si_(46)的能带结构 | 第60-61页 |
| 4.4 输运性质 | 第61-66页 |
| 4.4.1 塞贝克系数 | 第62-64页 |
| 4.4.1.1 Pb_8Si_(46)的塞贝克系数 | 第62-63页 |
| 4.4.1.2 Eu_8Si_(46)的塞贝克系数 | 第63-64页 |
| 4.4.2 电阻率 | 第64-66页 |
| 4.4.2.1 Pb_8Si_(46)的电阻率 | 第64-65页 |
| 4.4.2.2 Eu_8Si_(46)的电阻率 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 A_xC_ySi_(46-y)(A=Ba、Pb、Eu)的对比研究 | 第67-70页 |
| 5.1 晶格参数对比研究 | 第67页 |
| 5.2 晶体稳态能量对比研究 | 第67-68页 |
| 5.3 状态密度对比研究 | 第68-69页 |
| 5.4 功率因子对比研究 | 第69-70页 |
| 第六章 结论与展望 | 第70-71页 |
| 6.1 结论 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 附录 | 第76页 |
