摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-22页 |
1.1 黑硅材料研究背景 | 第10-12页 |
1.2 黑硅材料的研究现状 | 第12-19页 |
1.3 黑硅制备方法简介 | 第19-20页 |
1.4 本论文主要工作 | 第20-22页 |
第2章 过饱和金掺杂黑硅材料制备及结构成分分析 | 第22-33页 |
2.1 过饱和金掺杂黑硅制备过程 | 第22-24页 |
2.2 表面形貌对激光参数依赖研究 | 第24-25页 |
2.3 过饱和金掺杂黑硅材料结构性质分析 | 第25-28页 |
2.4 过饱和金掺杂黑硅材料元素成分分析 | 第28-30页 |
2.5 过饱和金掺杂黑硅材料杂质浓度分布分析 | 第30-32页 |
2.6 本章小结 | 第32-33页 |
第3章 过饱和金掺杂黑硅材料光电性质研究及器件表征 | 第33-48页 |
3.1 光吸收性质对激光参数特性依赖研究 | 第33-36页 |
3.2 光吸收性质热稳定性研究 | 第36-38页 |
3.3 表面载流子浓度和迁移率对激光参数依赖研究 | 第38-44页 |
3.4 器件I-V特性对激光参数依赖研究 | 第44-47页 |
3.5 本章小结 | 第47-48页 |
第4章 过饱和金掺杂黑硅材料杂质能级分析 | 第48-57页 |
4.1 黑硅层中金杂质能级位置研究 | 第48-50页 |
4.2 黑硅层中金杂质能级类型研究 | 第50-53页 |
4.3 黑硅层中表面载流子浓度和迁移率受测试温度依赖研究 | 第53-56页 |
4.4 本章小结 | 第56-57页 |
第5章 总结 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
作者简介及科研成果 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |