| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 半导体材料中载流子的输运 | 第7-9页 |
| 1.2.1 载流子漂移 | 第7页 |
| 1.2.2 载流子扩散 | 第7页 |
| 1.2.3 载流子复合 | 第7-9页 |
| 1.3 载流子的探测 | 第9-10页 |
| 1.4 本文的主要研究思路 | 第10-11页 |
| 第二章 器件的制备及实验技术介绍 | 第11-18页 |
| 2.1 器件的制备 | 第11-13页 |
| 2.1.1 器件结构 | 第11页 |
| 2.1.2 玻璃的清洗 | 第11-12页 |
| 2.1.3 成膜工艺及电极的蒸镀 | 第12页 |
| 2.1.4 掩模版的选择以及制作历程 | 第12-13页 |
| 2.2 瞬态光电流(TPC)技术原理 | 第13-18页 |
| 2.2.1 光电导效应 | 第13-14页 |
| 2.2.2 载流子倍增 | 第14页 |
| 2.2.3 研究对象的选取 | 第14-15页 |
| 2.2.4 瞬态光电流技术(TPC) | 第15-16页 |
| 2.2.5 实验装置 | 第16-18页 |
| 第三章 利用TEK示波器对砷化镓光导开关中的瞬态光电流进行探测及研究 | 第18-25页 |
| 3.1 引言 | 第18页 |
| 3.2 器件的制备过程 | 第18-19页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第19-24页 |
| 3.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第四章 利用PCIO9301高频采样示波器对瞬态光电流进行探测及研究 | 第25-33页 |
| 4.1 引言 | 第25页 |
| 4.2 样品的选取 | 第25页 |
| 4.3 器件的制备 | 第25页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第25-32页 |
| 4.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第五章 结论 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 作者简介 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39页 |