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一些新型拓扑半金属的输运行为研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
§ 第一章 绪论第13-58页
    §1.1 拓扑绝缘体的研究综述第13-24页
        §1.1.1 拓扑绝缘体概念的来源第13-18页
        §1.1.2 拓扑绝缘体中的拓扑序和相关实验研究第18-20页
        §1.1.3 拓扑绝缘体和Dirac方程第20-21页
        §1.1.4 拓扑绝缘体的拓扑特性第21-24页
            §1.1.4.1 无背散射第21-22页
            §1.1.4.2 弱反局域化第22页
            §1.1.4.3 非平庸的贝利相位第22-24页
            §1.1.4.4 Dirac费米子的朗道能级第24页
            §1.1.4.5 线性色散第24页
    §1.2 拓扑半金属的研究综述第24-37页
        §1.2.1 Weyl半金属的概念第24-25页
        §1.2.2 Weyl半金属的特征性质-手性反常第25-28页
            §1.2.2.1 手性反常的物理图像第25-26页
            §1.2.2.2 手性反常诱导的负磁阻现象第26-27页
            §1.2.2.3 手性反常诱导的面内霍尔效应第27-28页
        §1.2.3 Weyl半金属的特征性质-费米弧第28-29页
        §1.2.4 Weyl半金属的研究进展第29-31页
        §1.2.5 三维Dirac半金属的概念、形成以及演化第31-33页
        §1.2.6 三维Dirac半金属的研究进展第33-35页
        §1.2.7 其它拓扑半金属第35-37页
            §1.2.7.1 Node-line半金属第35-36页
            §1.2.7.2 Dirac-node-arc拓扑半金属第36页
            §1.2.7.3 磁性Dirac半金属第36页
            §1.2.7.4 三重简并的费米子第36-37页
    §1.3 量子振荡的原理和应用第37-50页
        §1.3.1 关于费米面的研究第37-38页
        §1.3.2 量子振荡的基本原理第38-42页
        §1.3.3 量子振荡的频率描述第42-45页
        §1.3.4 量子振荡的振幅描述第45-47页
        §1.3.5 量子振荡的相位描述第47-49页
        §1.3.6 探测材料量子振荡的必要条件第49页
        §1.3.7 量子振荡的实验探测第49-50页
        §1.3.8 量子振荡在拓扑材料中的应用第50页
    §1.4 本章总结第50-51页
    参考文献第51-58页
第二章 关于拓扑半金属PdTe_2和PtTe_2的输运行为的研究第58-70页
    §2.1 引言第58-62页
    §2.2 实验细节第62-63页
    §2.3 实验结果和讨论第63-67页
    §2.4 本章小结第67-68页
    参考文献第68-70页
第三章 磁性拓扑半金属材料NdSb输运性质的研究第70-85页
    §3.1 引言第70-72页
    §3.2 实验细节第72页
    §3.3 实验结果和讨论第72-82页
    §3.4 结论第82-83页
    参考文献第83-85页
第四章 Ⅱ类Weyl半金属WTe_2的面内霍尔效应第85-96页
    §4.1 引言第85-87页
    §4.2 实验细节第87页
    §4.3 实验结果和讨论第87-93页
    §4.4 结论第93-94页
    参考文献第94-96页
第五章 关于拓扑半金属PtSn_4的量子振荡的研究第96-108页
    §5.1 引言第96-97页
    §5.2 实验细节第97-98页
    §5.3 实验结果和讨论第98-105页
    §5.4 结论第105-106页
    参考文献第106-108页
硕博连读期间发表的论文第108-109页
致谢第109-110页

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