| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 半导体的起源 | 第11页 |
| 1.2 常见半导体材料 | 第11-26页 |
| 1.2.1 砷化镓半导体 | 第12-13页 |
| 1.2.2 半导体的制备以及砷化镓半导体发展中遇到的问题 | 第13-15页 |
| 1.2.3 掺杂N对GaAs半导体电子性质影响的研究总结 | 第15-26页 |
| 2 理论模型与方法 | 第26-35页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第26页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第26-32页 |
| 2.2.1 绝热近似即多粒子体系的薛定谔方程 | 第26-27页 |
| 2.2.2 绝热近似 | 第27-28页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第28-29页 |
| 2.2.4 Hatree-Fork近似 | 第29-30页 |
| 2.2.5 赝势 | 第30页 |
| 2.2.6 材料的光学性质 | 第30-32页 |
| 2.3 计算软件介绍 | 第32-35页 |
| 2.3.1 VASP简介 | 第32-33页 |
| 2.3.2 传统密度泛函的缺陷与杂化泛函 | 第33-34页 |
| 2.3.3 计算模型以及参数的设置 | 第34-35页 |
| 3 传统纯净GaAs半导体材料 | 第35-39页 |
| 3.1 传统半导体GaAs闪锌矿的结构 | 第36-37页 |
| 3.2 传统半导体GaAs电子性质 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 Ga_(32)As_(31)N_(As)半导体的电子结构研究 | 第39-46页 |
| 4.1 研究背景 | 第39页 |
| 4.2 Ga_(32)As_(31)N_(As)的电子性质 | 第39-43页 |
| 4.3 掺杂浓度与带隙之间的变化关系 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 5 掺杂N2 分子对半导体Ga32As31(N2)As的电子性质及磁学性质研究 | 第46-59页 |
| 5.1 研究背景 | 第46-48页 |
| 5.2 Ga_(32)A_(s31)(N2)_(As)半导体材料计算方法 | 第48页 |
| 5.3 Ga_(32)A_(s31)(N2)_(As)半导体材料的电子性质 | 第48-54页 |
| 5.4 Ga_(32)A_(s31)(N2)_(As)半导体材料的磁学性质 | 第54-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 6 GaAs，Ga_(32)As_(31)N_(As), Ga_(32)A_(s31)(N2)_(As)的光学性质研究 | 第59-63页 |
| 6.1 研究背景 | 第59页 |
| 6.2 三种材料的复介电常数 | 第59-61页 |
| 6.3 三种材料的吸收系数 | 第61-62页 |
| 6.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 7 全文总结 | 第63-64页 |
| 附图和表清单 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 个人简历 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
