| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·B-C-N三元化合物的研究背景 | 第8-10页 |
| ·金刚石与立方氮化硼 | 第9-10页 |
| ·石墨与六方氮化硼 | 第10页 |
| ·B-C-N三元化合物的研究概况 | 第10-19页 |
| ·B-C-N三元化合物的理论研究 | 第10-13页 |
| ·B-C-N三元化合物的实验合成 | 第13-16页 |
| ·B-C-N三元化合物的性能研究 | 第16-19页 |
| 2 B-C-N薄膜的表征方法 | 第19-23页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第19页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第19-20页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第20-21页 |
| ·纳米压痕测试仪 | 第21-23页 |
| 3 反应磁控溅射制备B-C-N薄膜的原理与工艺 | 第23-29页 |
| ·射频磁控溅射沉积系统简介 | 第23-25页 |
| ·磁控溅射原理 | 第25-26页 |
| ·B-C-N薄膜的制备工艺 | 第26-29页 |
| ·实验所用靶材与反应气体 | 第26-27页 |
| ·基片的选择 | 第27页 |
| ·B-C-N薄膜的具体沉积参数 | 第27-28页 |
| ·B-C-N薄膜的制备过程 | 第28-29页 |
| 4 不同实验参数对B-C-N薄膜成键状态的影响 | 第29-36页 |
| ·X射线衍射谱 | 第29页 |
| ·红外光谱 | 第29-35页 |
| ·同时改变硼石墨靶溅射功率下B-C-N薄膜的红外光谱 | 第30页 |
| ·不同CH4/N2/Ar流量比下B-C-N薄膜的红外光谱 | 第30-31页 |
| ·不同工作气压下B-C-N薄膜的红外光谱 | 第31-32页 |
| ·不同基片温度下B-C-N薄膜的红外光谱 | 第32-33页 |
| ·不同石墨靶溅射功率下B-C-N薄膜的红外光谱 | 第33-34页 |
| ·不同硼靶溅射功率下B-C-N薄膜的红外光谱 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 5 不同实验参数对B-C-N薄膜组分的影响 | 第36-44页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第36-38页 |
| ·B-C-N薄膜组分与实验条件的关系 | 第38-43页 |
| ·工作气压对B-C-N薄膜组分的影响 | 第40-41页 |
| ·基片温度对B-C-N薄膜组分的影响 | 第41页 |
| ·溅射功率对B-C-N薄膜组分的影响 | 第41-42页 |
| ·CH_4/N_2/Ar流量比对B-C-N薄膜组分的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 6 B-C-N薄膜硬度的研究 | 第44-46页 |
| ·基片研磨对B-C-N薄膜硬度的影响 | 第44页 |
| ·B-C-N薄膜硬度与成键类型的关系 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
