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半导体纳米管/柱阵列的制备及其光催化性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-22页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 光催化简介第10-13页
        1.2.1 光催化剂的优势第11页
        1.2.2 光催化氧化机理第11-13页
    1.3 一维纳米结构阵列简介第13-14页
        1.3.1 一维纳米结构阵列的优势第13页
        1.3.2 一维纳米结构阵列的构建方法第13-14页
    1.4 氧化锌纳米材料简介第14-18页
        1.4.1 氧化锌性质和应用第14-15页
        1.4.2 氧化锌的制备方法第15-18页
    1.5 二氧化钛纳米材料简介第18-19页
    1.6 课题研究目的和意义及课题主要研究内容第19-22页
第二章 实验试剂与设备第22-26页
    2.1 实验原料试剂第22-23页
    2.2 实验仪器设备第23页
    2.3 材料表征第23-26页
        2.3.1 扫描电子显微镜第23-24页
        2.3.2 紫外-可见光谱分析第24页
        2.3.3 荧光光谱分析第24页
        2.3.4 X射线衍射分析第24页
        2.3.5 X射线光电子能谱第24-26页
第三章 银-氧化锌纳米柱阵列的可控制备和光催化性能研究第26-43页
    3.1 引言第26页
    3.2 氧化锌纳米柱阵列的可控制备第26-31页
        3.2.1 ZnO纳米柱阵列的制备第26-28页
        3.2.2 ZnO纳米柱长度的控制第28-31页
    3.3 Ag-ZnO纳米柱阵列的可控制备第31-34页
    3.4 Ag-ZnO纳米柱阵列中银含量的控制第34-39页
        3.4.1 不同银含量的Ag-ZnONRA的制备第34-35页
        3.4.2 不同银含量Ag-ZnONRA的表征第35-39页
    3.5 Ag-ZnO纳米柱阵列的光催化性能研究第39-42页
        3.5.1 Ag-ZnO纳米柱阵列的太阳光光催化性能研究第39-41页
        3.5.2 催化剂循环次数测定第41-42页
    3.6 本章小结第42-43页
第四章 负载二硫化钼的二氧化钛纳米管阵列的可控制备和光催化性能研究第43-54页
    4.1 引言第43-44页
    4.2 二氧化钛纳米管阵列的可控制备第44-45页
        4.2.1 钛片的预处理第44页
        4.2.2 电解液的配置第44页
        4.2.3 阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列第44-45页
    4.3 负载二硫化钼的二氧化钛纳米管阵列的可控制备第45-47页
        4.3.1 电解液的配制第45-46页
        4.3.2 电沉积法制备MoS_2@TiO_2NTA第46页
        4.3.3 氮气保护下热处理第46-47页
    4.4 负载二硫化钼的二氧化钛纳米管阵列的表征第47-50页
    4.5 不同MoS_2负载量的MoS_2@TiO_2NTA光催化性能研究第50-52页
    4.6 本章小结第52-54页
结论第54-56页
参考文献第56-63页
攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果第63-65页
致谢第65页

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