| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 课题背景 | 第11页 |
| 1.2 真空阴极弧技术 | 第11-18页 |
| 1.2.1 真空阴极弧镀膜原理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 磁过滤阴极弧技术 | 第14-17页 |
| 1.2.3 脉冲阴极弧放电技术 | 第17-18页 |
| 1.3 ta-C涂层结构、应用及研究进展 | 第18-22页 |
| 1.3.1 ta-C的结构 | 第18-19页 |
| 1.3.2 ta-C涂层应用 | 第19-21页 |
| 1.3.3 ta-C 涂层研究进展 | 第21-22页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验设备与研究方法 | 第24-34页 |
| 2.1 实验设备及实验材料准备 | 第24-27页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第24-26页 |
| 2.1.2 实验材料 | 第26页 |
| 2.1.3 试样准备 | 第26-27页 |
| 2.2 实验方法 | 第27-33页 |
| 2.2.1 脉冲阴极弧放电特性及等离子体光谱测试 | 第27-31页 |
| 2.2.2 ta-C涂层制备 | 第31-33页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第33-34页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第33页 |
| 2.3.2 Raman光谱 | 第33页 |
| 2.3.3 膜基结合强度测试 | 第33页 |
| 2.3.4 涂层纳米硬度测试 | 第33页 |
| 2.3.5 摩擦磨损 | 第33-34页 |
| 第3章 石墨脉冲阴极弧放电特性的研究 | 第34-48页 |
| 3.1 调节频率改变峰值电流对放电特性的影响 | 第34-37页 |
| 3.2 调节脉宽改变峰值电流对放电特性的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 峰值电流不变时脉宽和频率对放电特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 脉冲端平均电流对放电特性的影响 | 第41-44页 |
| 3.5 峰值电流不变的情况下改变脉冲平均电流对放电特性的影响 | 第44-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 石墨脉冲阴极弧光谱特性的研究 | 第48-58页 |
| 4.1 调节脉宽改变峰值电流对等离子体光谱的影响 | 第48-50页 |
| 4.2 调节频率改变峰值电流对等离子体光谱的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 峰值电流不变时脉宽和频率对等离子体光谱的影响 | 第51-53页 |
| 4.4 脉冲端平均电流对等离子体光谱的影响 | 第53-54页 |
| 4.5 峰值电流不变的情况下改变脉冲平均电流对光谱的影响 | 第54-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 石墨脉冲阴极弧制备ta-C涂层结构性能研究 | 第58-86页 |
| 5.1 ta-C涂层工艺的探索 | 第58-59页 |
| 5.2 ta-C表面形貌和截面形貌分析 | 第59-69页 |
| 5.2.1 不同沉积时间ta-C表面形貌和截面形貌分析 | 第60-62页 |
| 5.2.2 不同峰值电流ta-C表面形貌和截面形貌分析 | 第62-66页 |
| 5.2.3 不同倍转模式ta-C表面形貌和截面形貌分析 | 第66-69页 |
| 5.3 ta-C膜基结合强度研究 | 第69-73页 |
| 5.3.1 不同沉积时间的膜基结合强度 | 第70-71页 |
| 5.3.2 倍转模式下的膜基结合强度 | 第71-72页 |
| 5.3.3 不同脉冲峰值电流的膜基结合强度 | 第72-73页 |
| 5.4 ta-C涂层Raman光谱分析 | 第73-78页 |
| 5.4.1 不同脉冲峰值电流Raman光谱分析 | 第74-76页 |
| 5.4.2 不同倍转模式Raman光谱分析 | 第76-78页 |
| 5.5 ta-C涂层纳米硬压痕分析 | 第78-81页 |
| 5.5.1 不同脉冲峰值电流纳米压痕 | 第78-80页 |
| 5.5.2 不同倍转模式纳米压痕 | 第80-81页 |
| 5.6 涂层摩擦磨损性能研究 | 第81-84页 |
| 5.6.1 峰值电流对ta-C涂层摩擦性能高影响 | 第81-83页 |
| 5.6.2 倍转模式对ta-C涂层摩擦学性能影响 | 第83-84页 |
| 5.7 本章小结 | 第84-86页 |
| 结论 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
