| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体量子点 | 第9-10页 |
| 1.3 二维过渡金属硫族化合物 | 第10-14页 |
| 1.3.1 二维TMDs及其基本性质 | 第10-12页 |
| 1.3.2 二维TMDs制备方法 | 第12-14页 |
| 1.4 二维过渡金属硫族化合物光学行为调制 | 第14-20页 |
| 1.4.1 电场作用 | 第15页 |
| 1.4.2 介电环境 | 第15-16页 |
| 1.4.3 应变调节 | 第16-17页 |
| 1.4.4 2D/0D杂化结构 | 第17-20页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第21-26页 |
| 2.1 试验材料与试剂 | 第21页 |
| 2.2 材料制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2.1 CVD法制备单层WS_2 | 第21-22页 |
| 2.2.2 机械剥离法制备单层WS_2 | 第22页 |
| 2.2.3 WS_2/QDs杂化结构的构建 | 第22页 |
| 2.3 单轴应变施加方法 | 第22-24页 |
| 2.5 材料形貌组织结构与物相表征方法 | 第24页 |
| 2.5.1 光学显微镜 | 第24页 |
| 2.5.2 扫描探针显微镜 | 第24页 |
| 2.5.3 透射电子显微镜 | 第24页 |
| 2.6 材料光学性能测试 | 第24-26页 |
| 2.6.1 拉曼光谱 | 第24-25页 |
| 2.6.2 光致发光光谱 | 第25页 |
| 2.6.3 紫外可见吸收光谱 | 第25-26页 |
| 第3章 单层WS_2的制备及WS_2/QDs杂化结构的构建 | 第26-35页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 单层WS_2的制备与表征 | 第26-31页 |
| 3.2.1 CVD法制备单层WS_2的基本表征 | 第26-29页 |
| 3.2.2 机械剥离法制备单层WS_2的基本表征 | 第29-31页 |
| 3.3 CdSe-CdS-ZnS半导体量子点 | 第31-32页 |
| 3.4 WS_2/QDs中的荧光淬灭 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 环境因素对WS_2/QDS杂化结构荧光淬灭与电荷转移行为的影响 | 第35-49页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 变温下CVD生长单层WS_2的激子态与缺陷态研究 | 第35-40页 |
| 4.3 变温下WS_2/QDs中带隙变化对电荷转移的调节作用 | 第40-44页 |
| 4.4 不同介电环境下CVD单层WS_2的激子行为 | 第44-46页 |
| 4.5 不同介电环境下WS_2/QDs杂化结构中电荷转移行为 | 第46-47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 单轴应变下WS_2/QDs体系电荷转移行为研究 | 第49-61页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 WS_2和WS_2/QDs柔性样品制备 | 第49-52页 |
| 5.3 单轴应变对单层WS_2中激子行为和光致发光的影响 | 第52-56页 |
| 5.4 单轴应变作用下WS_2/QDs杂化结构中电荷转移行为 | 第56-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
