| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 光催化概述 | 第9-13页 |
| 1.2.1 光电化学分解水的反应机理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 光电化学分解水的反应装置 | 第10-11页 |
| 1.2.3 常用电化学测量技术 | 第11-12页 |
| 1.2.4 光电化学光解水的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体材料的改性方法 | 第13-15页 |
| 1.3.1 微观结构的调控 | 第13-14页 |
| 1.3.2 金属元素掺杂 | 第14页 |
| 1.3.3 形成异质结 | 第14页 |
| 1.3.4 贵金属掺杂 | 第14页 |
| 1.3.5 非金属元素掺杂 | 第14-15页 |
| 1.3.6 半导体染料敏化 | 第15页 |
| 1.3.7 半导体量子点敏化 | 第15页 |
| 1.4 FeVO_4与g-C_3N_4半导体材料的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.4.1 FeVO_4半导体材料的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4.2 g-C_3N_4半导体材料的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 FeVO_4半导体材料的制备及其光电化学性能测试 | 第19-32页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-22页 |
| 2.2.1 实验主要试剂和药品 | 第20页 |
| 2.2.2 实验主要仪器 | 第20-21页 |
| 2.2.3 FeVO_4光电极材料的制备 | 第21页 |
| 2.2.4 物性表征 | 第21-22页 |
| 2.2.5 光电化学测试 | 第22页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第22-27页 |
| 2.3.1 XRD结果分析 | 第22-23页 |
| 2.3.2 FT-IR结果分析 | 第23-24页 |
| 2.3.3 BET结果分析 | 第24页 |
| 2.3.4 SEM结果分析 | 第24-26页 |
| 2.3.5 紫外-可见漫反射光谱分析 | 第26-27页 |
| 2.4 电化学分析 | 第27-31页 |
| 2.4.1 线性扫描伏安法结果分析 | 第27-28页 |
| 2.4.2 电流-时间曲线分析 | 第28页 |
| 2.4.3 交流阻抗谱结果分析 | 第28-30页 |
| 2.4.4 Mott-Schottky结果分析 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 g-C_3N_4半导体材料的制备及其光电化学性能测试 | 第32-47页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-35页 |
| 3.2.1 实验主要药品和试剂 | 第33页 |
| 3.2.2 实验主要仪器 | 第33-34页 |
| 3.2.3 g-C_3N_4光电极的制备 | 第34页 |
| 3.2.4 g-C_3N_4的热氧化刻蚀处理 | 第34页 |
| 3.2.5 g-C_3N_4工作电极的制备 | 第34页 |
| 3.2.6 物性表征 | 第34页 |
| 3.2.7 电化学测量 | 第34-35页 |
| 3.2.8 光催化活性测试 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 3.3.1 样品的XRD结果分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 样品的FTIR分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 SEM结果分析 | 第37-39页 |
| 3.3.4 BET结果分析 | 第39-40页 |
| 3.3.5 紫外-可见漫反射光谱分析 | 第40页 |
| 3.3.6 荧光光谱分析 | 第40-41页 |
| 3.4 电化学测量 | 第41-45页 |
| 3.4.1 线性扫描伏安法 | 第41-42页 |
| 3.4.2 暂态光响应 | 第42-43页 |
| 3.4.3 电化学阻抗测量 | 第43-44页 |
| 3.4.4 Mott-Schottky结果分析 | 第44-45页 |
| 3.5 光催化活性分析 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 全文总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-57页 |
| 在校期间学术成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
