Ⅳ-Ⅵ族化合物GeS、GeSe的直流电弧法制备及高压物性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 Ⅳ-Ⅵ族半导体材料 | 第11-15页 |
| 1.1.1 制备方法 | 第11-13页 |
| 1.1.2 研究进展 | 第13-14页 |
| 1.1.3 应用 | 第14-15页 |
| 1.2 高压实验技术 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的选题意义 | 第16-18页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验装置与测试仪器 | 第18-27页 |
| 2.1 实验原理与实验设备 | 第18-21页 |
| 2.1.1 实验原理 | 第18-20页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.2 实验药品与实验过程 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第21-23页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第23页 |
| 2.3 测试仪器与手段 | 第23-27页 |
| 第三章 GeS、GeSe纳米材料的制备与表征 | 第27-51页 |
| 3.1 实验装置 | 第27-28页 |
| 3.2 GeS纳米材料的制备与表征 | 第28-38页 |
| 3.2.1 球形GeS纳米材料 | 第29-32页 |
| 3.2.2 链球状GeS纳米材料 | 第32-35页 |
| 3.2.3 多刺状GeS纳米材料 | 第35-38页 |
| 3.3 GeSe纳米材料的制备与表征 | 第38-50页 |
| 3.3.1 球形GeSe纳米材料 | 第39-44页 |
| 3.3.2 分级纳米带状GeSe纳米材料 | 第44-47页 |
| 3.3.3 类金针菇状GeSe纳米材料 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 GeS、GeSe纳米材料的高压研究 | 第51-63页 |
| 4.1 实验方法 | 第51-52页 |
| 4.2 GeS纳米材料的高压研究 | 第52-54页 |
| 4.3 GeSe纳米材料的高压研究 | 第54-62页 |
| 4.3.1 GeSe纳米材料的高压X射线衍射 | 第55-59页 |
| 4.3.2 GeSe纳米材料的高压Raman散射 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
