| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-13页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的主要内容及结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 忆阻器及脉冲神经网络概述 | 第17-29页 |
| 2.1 忆阻器的基本概念 | 第17-19页 |
| 2.1.1 忆阻器的绝缘层材料 | 第17-18页 |
| 2.1.2 忆阻器的电极材料 | 第18页 |
| 2.1.3 忆阻器的电压电流特性 | 第18-19页 |
| 2.2 忆阻器模型及其阻变原理 | 第19-23页 |
| 2.2.1 导电细丝模型 | 第19-21页 |
| 2.2.2 势垒模型 | 第21页 |
| 2.2.3 忆阻器模型 | 第21-23页 |
| 2.3 脉冲神经网络简介 | 第23-24页 |
| 2.4 脉冲神经元模型 | 第24-28页 |
| 2.4.1 Hodgkin-Huxley模型 | 第24-26页 |
| 2.4.2 Leaky-Integrate-And-Fire模型 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 LIF神经元电路设计 | 第29-38页 |
| 3.1 LIF神经元电路设计与验证 | 第29-33页 |
| 3.1.1 膜电位积分泄漏 | 第30-31页 |
| 3.1.2 神经元不应期机制 | 第31-32页 |
| 3.1.3 神经元脉冲发放速率 | 第32-33页 |
| 3.2 基于CMOS电路的LIF神经元设计 | 第33-35页 |
| 3.3 CMOS神经元模型验证 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 基于CMOS电路的竞争神经网络设计 | 第38-51页 |
| 4.1 突触概述 | 第38-41页 |
| 4.2 基于CMOS电路的突触设计 | 第41-42页 |
| 4.3 突触电路验证 | 第42-44页 |
| 4.4 竞争神经网络基本概念 | 第44-46页 |
| 4.5 基于CMOS工艺的竞争神经网络电路设计 | 第46-50页 |
| 4.5.1 不同初始激励的竞争 | 第46-48页 |
| 4.5.2 不同权值的竞争 | 第48-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 基于忆阻器的竞争神经网络 | 第51-61页 |
| 5.1 LIF神经元的电路模型设计与实现 | 第51-53页 |
| 5.2 基于忆阻器的突触电路设计与实现 | 第53-55页 |
| 5.2.1 忆阻器阻态变化 | 第53-54页 |
| 5.2.2 基于忆阻器的突触电路验证 | 第54-55页 |
| 5.3 竞争网络设计与验证 | 第55-60页 |
| 5.3.1 个体竞争 | 第56-57页 |
| 5.3.2 组内竞争 | 第57-59页 |
| 5.3.3 组间竞争 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 全文总结 | 第61-62页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |