HEMT器件的模拟研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-13页 |
| 1.1.1 半导体材料的发展及HEMT器件的研究 | 第10-11页 |
| 1.1.2 半导体器件的计算机模拟技术简介 | 第11-13页 |
| 1.2 论文主要工作及结构安排 | 第13-14页 |
| 1.2.1 主要工作 | 第13页 |
| 1.2.2 结构安排 | 第13-14页 |
| 1.3 本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 半导体器件模拟基本理论 | 第15-26页 |
| 2.1 器件模拟的基本方程 | 第16-24页 |
| 2.1.1 载流子浓度 | 第16-18页 |
| 2.1.2 载流子迁移率 | 第18-19页 |
| 2.1.3 电流密度方程 | 第19-21页 |
| 2.1.4 连续性方程 | 第21-23页 |
| 2.1.5 泊松方程 | 第23-24页 |
| 2.2 器件模拟的物理模型 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 HEMT器件基本理论 | 第26-34页 |
| 3.1GaN基异质结构 | 第26-30页 |
| 3.1.1 极化效应 | 第26-28页 |
| 3.1.1.1 自发极化 | 第27页 |
| 3.1.1.2 压电极化 | 第27-28页 |
| 3.1.2 二维电子气 | 第28-30页 |
| 3.2HEMT工作原理 | 第30-33页 |
| 3.2.1MESFET | 第30-32页 |
| 3.2.2HEMT | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 材料参数的设置和代码的添加 | 第34-47页 |
| 4.1 器件的材料模型 | 第34-45页 |
| 4.1.1 能带参数模型 | 第34-38页 |
| 4.1.1.1 载流子有效质量 | 第35-36页 |
| 4.1.1.2 有效状态密度 | 第36页 |
| 4.1.1.3 禁带宽度 | 第36-37页 |
| 4.1.1.4 本征载流子浓度 | 第37页 |
| 4.1.1.5 载流子寿命 | 第37页 |
| 4.1.1.6 其他物理量 | 第37-38页 |
| 4.1.2 载流子产生与复合模型 | 第38-41页 |
| 4.1.2.1 SRH复合 | 第39页 |
| 4.1.2.2 俄歇复合 | 第39-40页 |
| 4.1.2.3 直接复合 | 第40页 |
| 4.1.2.4 碰撞电离模型 | 第40-41页 |
| 4.1.3 迁移率模型 | 第41-45页 |
| 4.1.3.1 Albrecht弱场迁移率模型 | 第42-43页 |
| 4.1.3.2 常数弱场迁移率模型 | 第43页 |
| 4.1.3.3 Gansat强场迁移率模型 | 第43-44页 |
| 4.1.3.4 平行电场相关的强场迁移率模型 | 第44-45页 |
| 4.2 代码的添加 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 器件的建模与仿真结果分析 | 第47-59页 |
| 5.1 PN结的模拟 | 第47-52页 |
| 5.1.1 同质PN结 | 第48-51页 |
| 5.1.2 异质PN结 | 第51-52页 |
| 5.2 HEMT器件建模与结果分析 | 第52-58页 |
| 5.2.1 器件的结构和参数 | 第52页 |
| 5.2.2 二维电子气的引入 | 第52-54页 |
| 5.2.3 HEMT器件完整结构的模拟 | 第54-56页 |
| 5.2.4 输出特性曲线 | 第56-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
