| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究背景 | 第12-20页 |
| 1.2.1 高峰值功率超宽带天线国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1.1 Vivaldi天线的发展现状 | 第12-13页 |
| 1.2.1.2 喇叭天线的发展现状 | 第13页 |
| 1.2.1.3 其它天线的发展现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 提高天线增益国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.2.1 添加引向器 | 第14-15页 |
| 1.2.2.2 添加反射板 | 第15页 |
| 1.2.2.3 添加龙伯透镜及超材料结构 | 第15-17页 |
| 1.2.2.4 其他提升增益的方法 | 第17-18页 |
| 1.2.3 可重构太赫兹吸收器国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第20-21页 |
| 第二章 高峰值功率天线的原理以及超材料的理论 | 第21-37页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 时域天线的主要参数简介 | 第21-26页 |
| 2.2.1 瞬态窄脉冲的频谱特性 | 第21-23页 |
| 2.2.2 天线的基本参数 | 第23-25页 |
| 2.2.2.1 天线的辐射方向图 | 第23-24页 |
| 2.2.2.2 天线的增益和方向性 | 第24-25页 |
| 2.2.2.3 天线的保真度 | 第25页 |
| 2.2.3 接收信号的拖尾问题 | 第25-26页 |
| 2.3 龙伯透镜的光吸收机理 | 第26-30页 |
| 2.3.1 介电常数渐变的龙伯透镜 | 第27-29页 |
| 2.3.2 单一介质透镜 | 第29-30页 |
| 2.4 电磁超材料理论 | 第30-36页 |
| 2.4.1 典型电磁超材料单元结构概述 | 第30-31页 |
| 2.4.2 等效介电常数和等效磁导率为负的基本原理 | 第31-34页 |
| 2.4.2.1 等效磁导率为负 | 第31-32页 |
| 2.4.2.2 等效介电常数为负 | 第32-34页 |
| 2.4.3 半导体的光吸收机理 | 第34-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 高峰值功率天线的设计 | 第37-66页 |
| 3.1 Vivaldi天线的设计 | 第37-48页 |
| 3.1.1 Vivaldi天线的设计过程 | 第37-39页 |
| 3.1.2 Vivaldi天线的优化过程 | 第39-41页 |
| 3.1.3 Vivaldi天线的仿真结果 | 第41-43页 |
| 3.1.4 Vivaldi天线的实测结果 | 第43-48页 |
| 3.1.4.1 Vivaldi天线对接的接收波形 | 第43-45页 |
| 3.1.4.2 Vivaldi天线的方向图 | 第45-46页 |
| 3.1.4.3 Vivaldi天线各方向上的波形保真系数 | 第46-47页 |
| 3.1.4.4 Vivaldi天线功率合成试验 | 第47-48页 |
| 3.2 喇叭天线的设计 | 第48-53页 |
| 3.3 龙伯透镜的设计 | 第53-65页 |
| 3.3.1 多层龙伯透镜 | 第53-59页 |
| 3.3.1.1 十层龙伯透镜的设计 | 第53-54页 |
| 3.3.1.2 十层龙伯透镜的制作工艺 | 第54-55页 |
| 3.3.1.3 十层龙伯透镜的作用 | 第55-59页 |
| 3.3.2 单一介质龙伯透镜 | 第59-60页 |
| 3.3.3 等效龙伯透镜 | 第60-65页 |
| 3.3.3.1 等效龙伯透镜的设计 | 第60-62页 |
| 3.3.3.2 等效龙伯透镜的作用 | 第62-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 可重构太赫兹吸收器的设计 | 第66-81页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 基于SRR结构耦合电流的研究 | 第66-70页 |
| 4.2.1 开.环RLC等效电路模型 | 第66-67页 |
| 4.2.2 非对称开口单环的研究 | 第67-70页 |
| 4.3 极化可重构太赫兹吸收器的研究 | 第70-78页 |
| 4.3.1 基本太赫兹吸收器的设计 | 第70-73页 |
| 4.3.1.1 对称双开口太赫兹吸收器的设计 | 第70-71页 |
| 4.3.1.2 对称双开口中间添加金属短杆太赫兹吸收器的设计 | 第71-73页 |
| 4.3.1.3 对称双开口中间添加金属长杆太赫兹吸收器的设计 | 第73页 |
| 4.3.2 高介电常数半导体的说明 | 第73-74页 |
| 4.3.3 太赫兹吸收器的加工流程 | 第74-75页 |
| 4.3.4 太赫兹吸收器试验测试结果 | 第75-78页 |
| 4.4 激光可重构太赫兹吸收器的研究 | 第78-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 结语 | 第81-83页 |
| 5.1 论文完成的工作 | 第81-82页 |
| 5.2 论文的创新点 | 第82页 |
| 5.3 论文工作的不足 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-91页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第91-92页 |
