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用于空间探测的电子元器件辐照性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-20页
    1.1 研究背景第10-13页
        1.1.1 空间辐射环境第11-13页
    1.2 空间辐射效应和课题来源第13-17页
        1.2.1 单粒子效应第13-16页
        1.2.2 总剂量效应第16页
        1.2.3 暗物质粒子探测卫星硅阵列探测器第16-17页
    1.3 国内外研究现状第17-18页
        1.3.1 空间辐射的地面模拟方式第17-18页
        1.3.2 目前研究现状中存在的问题第18页
    1.4 本课题研究的主要内容和论文组织结构第18-20页
2 系统硬件设计第20-33页
    2.1 系统的总体设计思想第20-21页
    2.2 电子元器件辐照性能研究系统的总体设计结构第21页
    2.3 核心控制器第21-22页
    2.4 LDO供电部分第22页
    2.5 24 片AD7476 采集电路第22-23页
    2.6 AD7476 电流监测部分第23-24页
    2.7 DS18S20Z复接电路第24-25页
    2.8 DS18S20Z电流监测部分第25-27页
    2.9 USB通信电路第27-28页
    2.10 硬件系统PCB设计第28-30页
        2.10.1 PCB设计中注意的问题第28-29页
        2.10.2 PCB图及硬件系统实物第29-30页
    2.11 对实验芯片的预处理第30-31页
    2.12 本章小结第31-33页
3 系统软件设计第33-56页
    3.1 FPGA软件设计第33-46页
        3.1.1 系统模块时钟、复位域设计第34-37页
        3.1.2 AD7476 驱动模块第37-40页
        3.1.3 写AD数据写到FIFO模块第40-45页
        3.1.4 USB读模块和USB写模块第45-46页
    3.2 基于Labwindows/CVI的数据采集系统第46页
        3.2.1 Labwindows/CVI简介第46页
    3.3 数据采集(DAQ)与处理系统设计第46-55页
    3.4 本章小结第55-56页
4 单粒子效应实验与措施验证及讨论第56-67页
    4.1 重离子实验第56-58页
        4.1.1 实验平台第56-57页
        4.1.2 单粒子特性实验结果第57-58页
    4.2 辐照效应防护措施第58页
        4.2.1 单粒子闩锁防护措施设计第58页
        4.2.2 单粒子翻转处理措施讨论第58页
    4.3 单粒子闩锁防护措施有效性验证脉冲激光实验第58-60页
    4.4 单粒子闩锁防护措施有效性验证重离子实验第60-61页
    4.5 单粒子闩锁防护措施有效性验证实验结果第61-65页
        4.5.1 AD7476 脉冲激光实验验证结果第61-62页
        4.5.2 AD7476 束流实验验证结果第62-64页
        4.5.3 DS18S20Z束流实验验证结果第64-65页
    4.6 单粒子实验结论第65-67页
5 总剂量实验及数据第67-71页
    5.1 实验过程第67页
    5.2 AD7476 芯片实验前及沉积各剂量后的采样值与电流数据第67-69页
    5.3 总剂量实验结论第69-71页
6 总结与展望第71-72页
    6.1 总结第71页
    6.2 展望第71-72页
参考文献第72-74页
致谢第74-75页
个人简历、在学期间科研成果与获奖情况第75页

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