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基于EEG电极模式的EIT敏感场研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 课题研究背景及意义第10-11页
    1.2 电阻抗成像国内外发展状况与趋势第11-14页
        1.2.1 电阻抗成像国外发展现状第11-12页
        1.2.2 电阻抗成像国内发展现状第12-14页
    1.3 论文中涉及的软件简介第14-15页
    1.4 课题研究内容和论文章节安排第15-17页
        1.4.1 本文主要研究内容第16页
        1.4.2 本文各章节安排第16-17页
第二章 电阻抗成像正问题理论基础第17-25页
    2.1 EIT成像的基本原理第17页
    2.2 EIT成像的生物医学基础第17-18页
    2.3 三维EIT成像正问题第18-24页
        2.3.1 三维EIT正问题的计算方法第19页
        2.3.2 三维EIT正问题的等价变分第19-20页
        2.3.3 建立三维EIT有限元方程组第20-24页
    2.4 本章小结第24-25页
第三章 EIT和EEG的测量模式第25-31页
    3.1 EIT测量用电极系统第25-27页
    3.2 EEG测量电极帽第27-29页
    3.3 单电极双模态测量电路思路第29-30页
    3.4 本章小结第30-31页
第四章 脑部三维实体有限元模型的构建第31-43页
    4.1 常见脑部模型构建方式第31-32页
    4.2 构建三维脑部三层有限元模型第32-36页
    4.3 三维实体转换第36-38页
    4.4 有限元剖分及仿真计算过程第38-42页
        4.4.1 脑部三层实体模型的获得第38-40页
        4.4.2 脑部各组织电学特性第40页
        4.4.3 有限元剖分第40-42页
        4.4.4 有限元仿真结果第42页
    4.5 本章小结第42-43页
第五章 基于EEG模式下EIT电极和敏感场研究第43-56页
    5.1 基于EEG点位的EIT环状电极圈第43-45页
    5.2 竖轴不同位置环状电极圈产生的敏感场比较第45-49页
    5.3 电极数目对敏感场分布的影响第49-55页
        5.3.1 三维实体有限元模型第49-51页
        5.3.2 半球头模型第51-52页
        5.3.3 不同模型的相邻电压差值第52-55页
    5.4 本章小结第55-56页
第六章 总结与展望第56-58页
    6.1 本文工作总结第56页
    6.2 未来工作展望第56-58页
参考文献第58-62页
致谢第62-63页
攻读硕士学位期间已发表、录用论文及参与科研项目情况第63页

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