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单晶式多晶体纳米金刚石复合表面电学性质研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 引言第8-30页
    1.1 研究背景第8-10页
    1.2 研究现状及存在问题第10-19页
        1.2.1 纳米金刚石薄膜实验制备研究现状第10-13页
        1.2.2 纳米金刚石薄膜电学性能研究现状第13-17页
        1.2.3 纳米金刚石薄膜光学研究现状第17-19页
    1.3 纳米金刚石复合薄膜的制备及表征第19-27页
        1.3.1 热丝CVD 方法和电子辅助热丝CVD 法(EACVD)第21-22页
        1.3.2 直流辉光 CVD 法第22-23页
        1.3.3 直流等离子体喷射 CVD 法第23页
        1.3.4 微波 PCVD 法(MPCVD)第23-25页
        1.3.5 纳米金刚石薄膜表征第25-27页
    1.4 课题研究的目的与意义第27-30页
2 理论基础第30-37页
    2.1 第一性原理方法第30页
    2.2 BornOppenheimer 近似第30页
    2.3 密度泛函理论(DFT)第30-34页
        2.3.1 HohenbergKohn 定理第31页
        2.3.2 KohnSham 近似第31-32页
        2.3.3 自洽KohnSham 方程第32页
        2.3.4 交互关联函数近似第32-34页
    2.4 光学性质的理论基础第34-36页
    2.5 计算所使用的软件(VASP)第36-37页
3 研究方法的验证第37-44页
    3.1 计算方法和模型第37页
    3.2 结构模型优化第37-38页
    3.3 电子结构第38-40页
    3.4 光学性质第40-42页
    3.5 小结第42-44页
4 单晶式多晶体纳米金刚石薄膜的电子特性第44-66页
    4.1 不同晶粒尺寸的金刚石薄膜的电子特性第44-49页
        4.1.1 模型的建立第44-46页
        4.1.2 计算结果与讨论第46-49页
        4.1.3 小结第49页
    4.2 不同晶粒尺寸金刚石中的Si 界面的电子特性第49-54页
        4.2.1 模型的建立第50页
        4.2.2 计算结果与讨论第50-54页
        4.2.3 小结第54页
    4.3 不同晶粒尺寸金刚石中的P 界面的电子特性第54-59页
        4.3.1 模型的建立第54-55页
        4.3.2 计算结果与讨论第55-58页
        4.3.3 小结第58-59页
    4.4 不同晶粒尺寸金刚石中的B 界面的电子特性第59-63页
        4.4.1 模型的建立第59-60页
        4.4.2 计算结果与讨论第60-63页
        4.4.3 小结第63页
    4.5 本章总结第63-66页
5 全文工作总结及展望第66-68页
    5.1 工作总结第66页
    5.2 工作展望第66-68页
参考文献第68-78页
索引第78-80页
    图的列表第78-79页
    表格列表第79-80页
在学研究成果第80-81页
致谢第81页

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