| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 SiC功率器件的优势及发展 | 第12-16页 |
| 1.2.1 SiC功率器件的优势 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC功率器件的发展与应用 | 第13-15页 |
| 1.2.3 SiC伺服驱动器进展 | 第15-16页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第2章 功率器件工作特性分析 | 第19-31页 |
| 2.1 SiCMOSFET与SiIGBT的静态特性对比分析 | 第19-22页 |
| 2.2 SiCMOSFET动态特性 | 第22-28页 |
| 2.2.1 寄生电容 | 第23页 |
| 2.2.2 器件开关过程 | 第23-28页 |
| 2.3 稳态工作状态分析 | 第28-30页 |
| 2.3.1 MOSFET稳态工作状态 | 第28-29页 |
| 2.3.2 SiIGBT的稳态工作状态 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 主回路损耗分析计算 | 第31-53页 |
| 3.1 主回路工作过程分析 | 第31-34页 |
| 3.2 主回路损耗计算 | 第34-41页 |
| 3.2.1 单相桥臂功率器件的导通损耗计算 | 第35-36页 |
| 3.2.2 功率器件开关损耗计算 | 第36-37页 |
| 3.2.3 逆变电路损耗计算 | 第37-38页 |
| 3.2.4 SiCMOSFET逆变电路的损耗计算 | 第38-41页 |
| 3.3 主回路损耗的仿真分析 | 第41-52页 |
| 3.3.1 正向导通损耗 | 第42-45页 |
| 3.3.2 反向导通损耗仿真 | 第45-47页 |
| 3.3.3 导通损耗计算结果及比较分析 | 第47-48页 |
| 3.3.4 开关损耗仿真 | 第48-51页 |
| 3.3.5 开关损耗仿真结果分析 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 交流伺服驱动器的系统设计及软硬件实现 | 第53-77页 |
| 4.1 永磁同步电机的数学模型 | 第53-56页 |
| 4.2 永磁同步电机矢量控制 | 第56-57页 |
| 4.3 硬件电路设计 | 第57-69页 |
| 4.3.1 基于DSP的控制电路设计 | 第58-61页 |
| 4.3.2 主回路设计 | 第61-62页 |
| 4.3.3 SiCMOSFET驱动电路的研究 | 第62-69页 |
| 4.4 软件设计 | 第69-74页 |
| 4.4.1 交流伺服驱动器软件设计 | 第70-72页 |
| 4.4.2 电流及速度调节器的实现 | 第72-73页 |
| 4.4.3 高开关频率控制程序优化 | 第73-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-77页 |
| 第5章 实验结果与分析 | 第77-83页 |
| 5.1 伺服驱动系统实验平台 | 第77-78页 |
| 5.2 损耗对比测试 | 第78-80页 |
| 5.3 SiCMOSFET驱动器性能测试 | 第80-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第6章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 6.1 总结 | 第83-84页 |
| 6.2 展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91页 |