| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第14-16页 |
| 第二章 GaAs二维电子系统的背景知识 | 第16-41页 |
| 2.1 GaAs及二维电子气历史概况 | 第16-17页 |
| 2.2 基于GaAs异质结二维电子气的能带结构 | 第17-18页 |
| 2.3 GaAs二维电子系统的生长 | 第18-21页 |
| 2.3.1 分子束外延(MBE) | 第19-20页 |
| 2.3.2 金属-有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20-21页 |
| 2.4 GaAs二维电子系统器件制备的工艺 | 第21-25页 |
| 2.4.1 紫外光刻 | 第21-22页 |
| 2.4.2 镀膜 | 第22页 |
| 2.4.3 退火 | 第22-23页 |
| 2.4.4 刻蚀 | 第23-25页 |
| 2.5 GaAs二维电子系统的迁移率 | 第25-26页 |
| 2.6 磁场下的朗道能级 | 第26-30页 |
| 2.6.1 理论分析 | 第26-29页 |
| 2.6.2 回旋共振 | 第29-30页 |
| 2.7 磁场下的输运 | 第30-37页 |
| 2.7.1 电导与电阻张量 | 第30-32页 |
| 2.7.2 Shubnikov-deHaas(SdH)振荡 | 第32-33页 |
| 2.7.3 整数量子霍尔效应 | 第33-35页 |
| 2.7.4 分数量子霍尔效应 | 第35-37页 |
| 2.8 顶门对浓度的调节 | 第37-38页 |
| 2.9 齐纳遂穿(zenertunneling) | 第38-41页 |
| 第三章 GaAs二维电子系统上施加antidot周期势调制 | 第41-63页 |
| 3.1 二维周期势调制简介 | 第41-42页 |
| 3.2 人工石墨烯 | 第42-46页 |
| 3.2.1 石墨烯概述 | 第42-44页 |
| 3.2.2 人工石墨烯概述 | 第44-46页 |
| 3.3 antidot器件的制备 | 第46-49页 |
| 3.3.1 GaAs片子上制备HallBar | 第46-47页 |
| 3.3.2 人工晶格的制备 | 第47-49页 |
| 3.4 几何共振的测量 | 第49-53页 |
| 3.5 AB效应的观测 | 第53-56页 |
| 3.6 霍尔效应的反常 | 第56-59页 |
| 3.7 施加直流偏置 | 第59-62页 |
| 3.8 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 GaAs二维电子系统上施加一维周期势调制 | 第63-73页 |
| 4.1 一维周期势调制简介 | 第63-64页 |
| 4.2 一维周期势调制的一些实验结果 | 第64-72页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第64页 |
| 4.2.2 输运测量结果 | 第64-69页 |
| 4.2.3 施加直流偏置下的一些测量结果 | 第69-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-86页 |
| 个人简历 | 第86-87页 |
| 发表文章目录 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
