铝诱导晶化法制备高质量多晶Si、SiGe材料的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-15页 |
| 1.2 铝诱导晶化法制备多晶薄膜的研究进展 | 第15-20页 |
| 1.2.1 铝诱导多晶硅的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.2.2 铝诱导多晶硅锗的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.3 论文框架 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 多晶硅和多晶硅锗的制备与表征 | 第26-33页 |
| 2.1 制备仪器 | 第26-28页 |
| 2.2 结果表征 | 第28-31页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.2 激光扫描共焦显微镜 | 第29页 |
| 2.2.3 拉曼光谱仪 | 第29-30页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪 | 第30-31页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第31页 |
| 2.2.6 俄歇电子能谱 | 第31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 铝诱导晶化法制备多晶硅材料 | 第33-50页 |
| 3.1 铝层厚度对形成的多晶硅的影响 | 第33-37页 |
| 3.1.1 样品生长和处理 | 第33-34页 |
| 3.1.2 结果表征和分析 | 第34-37页 |
| 3.2 厚铝层诱导晶化非晶硅过程的研究 | 第37-44页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第37页 |
| 3.2.2 形貌表征 | 第37-39页 |
| 3.2.3 Raman表征 | 第39-42页 |
| 3.2.4 XRD表征 | 第42-43页 |
| 3.2.5 晶化过程机理 | 第43-44页 |
| 3.3 非晶硅与铝层厚度比对形成的多晶硅的影响 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 铝诱导晶化法制备多晶硅锗材料 | 第50-69页 |
| 4.1 样品制备 | 第50-51页 |
| 4.2 锗薄层在铝诱导晶化过程中的影响 | 第51-55页 |
| 4.3 退火温度对晶化结果的影响 | 第55-61页 |
| 4.4 非晶硅与铝层厚度比对晶化结果的影响 | 第61-66页 |
| 4.4.1 高于锗铝共熔温度时的晶化 | 第61-63页 |
| 4.4.2 低于锗铝共熔温度时的晶化 | 第63-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 附录 硕士期间科研成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
