| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| 1.1 基本背景和研究意义 | 第11-14页 |
| 1.2 国内外研究现状及本文的技术路线 | 第14-15页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第15-17页 |
| 2 基本输运理论和模型 | 第17-45页 |
| 2.1 基本模型和理论 | 第17-29页 |
| 2.2 直流输运理论 | 第29-36页 |
| 2.3 交流输运理论 | 第36-45页 |
| 3 三端纳米电子器件中的电流图像 | 第45-69页 |
| 3.1 本章引言 | 第45-47页 |
| 3.2 三端纳米系统模型 | 第47-51页 |
| 3.3 Decimation方法,格林函数以及局域电流 | 第51-58页 |
| 3.4 计算结果和相关讨论 | 第58-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-69页 |
| 4 基于石墨烯纳米带的T-stub结构中的交流输运 | 第69-83页 |
| 4.1 本章引言 | 第69-70页 |
| 4.2 基本T-stub系统及交流输运理论 | 第70-74页 |
| 4.3 数值结果 | 第74-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 5 自旋相关的交流输运 | 第83-99页 |
| 5.1 本章引言 | 第83-84页 |
| 5.2 交换相互作用对自旋相关输运的影响 | 第84-89页 |
| 5.3 自旋输运中门电压的电容效应 | 第89-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-99页 |
| 6 总结和展望 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-107页 |
| 发表文章目录 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109页 |