忆阻器件及其应用
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的内容与结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 忆阻器件的基本特性 | 第15-26页 |
| 2.1 忆阻器件的基本概念 | 第15-16页 |
| 2.2 忆阻器件的电流电压特性 | 第16-19页 |
| 2.2.1 线性忆阻器件的电流电压特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 非线性忆阻器件的电流电压特性 | 第17-19页 |
| 2.3 忆阻器件的阻变模型 | 第19-22页 |
| 2.4 忆阻器件的数学模型 | 第22-24页 |
| 2.5 忆阻器件的材料体系 | 第24-25页 |
| 2.5.1 绝缘介质层材料 | 第24页 |
| 2.5.2 电极材料 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于HfO_2的忆阻器件的基本电学特性 | 第26-35页 |
| 3.1 忆阻器件作为存储器件的优势 | 第26页 |
| 3.2 器件的结构和制备 | 第26-29页 |
| 3.3 阻变存储器件电学性能的研究 | 第29-34页 |
| 3.3.1 阻变存储器件的存储特性测试与研究 | 第29-33页 |
| 3.3.2 阻变存储器件的可靠性测试与研究 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 基于HfO_2的忆阻器件的多值存储 | 第35-43页 |
| 4.1 阻变存储器件的多值存储 | 第35页 |
| 4.2 阻变存储器件的4值存储 | 第35-39页 |
| 4.2.1 存储特性测试与研究 | 第35-37页 |
| 4.2.2 可靠性测试与研究 | 第37-39页 |
| 4.3 阻变存储器件的8值存储 | 第39-42页 |
| 4.3.1 存储特性测试与研究 | 第39-41页 |
| 4.3.2 可靠性测试与研究 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 基于IGZO忆阻器件的双脉冲易化现象 | 第43-54页 |
| 5.1 双脉冲易化现象简介 | 第43页 |
| 5.2 器件的结构与制备 | 第43-44页 |
| 5.3 器件的双脉冲易化 | 第44-53页 |
| 5.3.1 器件的双脉冲易化现象 | 第44-46页 |
| 5.3.2 影响器件双脉冲易化的因素 | 第46-48页 |
| 5.3.3 器件的弯曲对双脉冲易化的影响 | 第48-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第61-62页 |
