摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
第1章 绪论 | 第14-37页 |
1.1 引言 | 第14页 |
1.2 铁电材料 | 第14-15页 |
1.3 磁性材料 | 第15-19页 |
1.3.1 几种常见磁性 | 第15-17页 |
1.3.2 超交换作用与双交换作用 | 第17-18页 |
1.3.3 螺旋磁性 | 第18页 |
1.3.4 寄生铁磁性 | 第18-19页 |
1.3.5 混磁性及自旋玻璃 | 第19页 |
1.4 多铁材料 | 第19-24页 |
1.5. 应用 | 第24-28页 |
1.5.1 磁电传感器 | 第25页 |
1.5.2 多态存储器 | 第25-26页 |
1.5.3 多铁性内存 | 第26-27页 |
1.5.4 磁读电写硬盘 | 第27-28页 |
1.6 本论文研究工作 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-37页 |
第2章 制备A/B位共掺的Bi_7Fe_3Ti_3O_(21)陶瓷 | 第37-52页 |
2.1 引言 | 第37-38页 |
2.2 样品制备与表征 | 第38-40页 |
2.2.1 固相反应法 | 第38-39页 |
2.2.2 化学燃烧法 | 第39页 |
2.2.3 样品表征 | 第39-40页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第40-48页 |
2.3.1 晶体结构 | 第40-43页 |
2.3.2 电学性能 | 第43-46页 |
2.3.3 磁学性能 | 第46-48页 |
2.4 本章小结 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-52页 |
第3章 交换偏置效应 | 第52-85页 |
3.1 引言 | 第52页 |
3.2 基本特征 | 第52-62页 |
3.2.1 磁性层厚度的影响 | 第52-54页 |
3.2.2 反铁磁层的结构取向 | 第54-56页 |
3.2.3 界面无序 | 第56-58页 |
3.2.4 各向异性 | 第58页 |
3.2.5 截止温度 | 第58-59页 |
3.2.6 锻炼效应 | 第59-60页 |
3.2.7 矫顽场 | 第60-61页 |
3.2.8 冷却场及正交换偏置 | 第61-62页 |
3.2.9 垂直耦合 | 第62页 |
3.3 基本测量方法 | 第62-66页 |
3.3.1 磁化强度 | 第62-63页 |
3.3.2 其他测量方法 | 第63-66页 |
3.4 理论模型 | 第66-74页 |
3.4.1 理想界面 | 第66-68页 |
3.4.2 界面的反铁磁畴壁 | 第68-69页 |
3.4.3 随机场模型 | 第69-70页 |
3.4.4 自旋翻转垂直界面耦合 | 第70-71页 |
3.4.5 未补偿界面反铁磁自旋 | 第71-74页 |
3.5 材料体系 | 第74-75页 |
3.5.1 铁磁/反铁磁双层膜体系 | 第74-75页 |
3.5.2 相分离的锰/钴氧化物体系 | 第75页 |
3.6 本章小结 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-85页 |
第4章 长周期Bi_(10)Fe_6Ti_3O_(30)陶瓷的结构与性能 | 第85-100页 |
4.1 引言 | 第85-86页 |
4.2 样品制备与表征 | 第86-87页 |
4.2.1 样品制备 | 第86页 |
4.2.2 样品表征 | 第86-87页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第87-96页 |
4.3.1 晶体结构 | 第87-89页 |
4.3.2 磁学性能 | 第89-91页 |
4.3.3 交换偏置 | 第91-94页 |
4.3.4 电学性能 | 第94-96页 |
4.4 本章小结 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-100页 |
第5章 部分钻取代铁对Bi_(10)Fe_6Ti_3O_(30)陶瓷的结构与性能的影响 | 第100-108页 |
5.1 引言 | 第100-101页 |
5.2 样品制备与表征 | 第101页 |
5.2.1 样品制备 | 第101页 |
5.2.2 样品表征 | 第101页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第101-106页 |
5.3.1 晶体结构 | 第101-103页 |
5.3.2 电学性能 | 第103-104页 |
5.3.3 磁性性能与交换偏置 | 第104-106页 |
5.4 本章小结 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-108页 |
第6章 总结及展望 | 第108-110页 |
6.1 全文总结 | 第108页 |
6.2 未来工作展望 | 第108-110页 |
致谢 | 第110-112页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第112-113页 |