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单相长周期铋层状多铁材料的交换偏置效应

摘要第5-8页
Abstract第8-10页
第1章 绪论第14-37页
    1.1 引言第14页
    1.2 铁电材料第14-15页
    1.3 磁性材料第15-19页
        1.3.1 几种常见磁性第15-17页
        1.3.2 超交换作用与双交换作用第17-18页
        1.3.3 螺旋磁性第18页
        1.3.4 寄生铁磁性第18-19页
        1.3.5 混磁性及自旋玻璃第19页
    1.4 多铁材料第19-24页
    1.5. 应用第24-28页
        1.5.1 磁电传感器第25页
        1.5.2 多态存储器第25-26页
        1.5.3 多铁性内存第26-27页
        1.5.4 磁读电写硬盘第27-28页
    1.6 本论文研究工作第28-29页
    参考文献第29-37页
第2章 制备A/B位共掺的Bi_7Fe_3Ti_3O_(21)陶瓷第37-52页
    2.1 引言第37-38页
    2.2 样品制备与表征第38-40页
        2.2.1 固相反应法第38-39页
        2.2.2 化学燃烧法第39页
        2.2.3 样品表征第39-40页
    2.3 实验结果与讨论第40-48页
        2.3.1 晶体结构第40-43页
        2.3.2 电学性能第43-46页
        2.3.3 磁学性能第46-48页
    2.4 本章小结第48-49页
    参考文献第49-52页
第3章 交换偏置效应第52-85页
    3.1 引言第52页
    3.2 基本特征第52-62页
        3.2.1 磁性层厚度的影响第52-54页
        3.2.2 反铁磁层的结构取向第54-56页
        3.2.3 界面无序第56-58页
        3.2.4 各向异性第58页
        3.2.5 截止温度第58-59页
        3.2.6 锻炼效应第59-60页
        3.2.7 矫顽场第60-61页
        3.2.8 冷却场及正交换偏置第61-62页
        3.2.9 垂直耦合第62页
    3.3 基本测量方法第62-66页
        3.3.1 磁化强度第62-63页
        3.3.2 其他测量方法第63-66页
    3.4 理论模型第66-74页
        3.4.1 理想界面第66-68页
        3.4.2 界面的反铁磁畴壁第68-69页
        3.4.3 随机场模型第69-70页
        3.4.4 自旋翻转垂直界面耦合第70-71页
        3.4.5 未补偿界面反铁磁自旋第71-74页
    3.5 材料体系第74-75页
        3.5.1 铁磁/反铁磁双层膜体系第74-75页
        3.5.2 相分离的锰/钴氧化物体系第75页
    3.6 本章小结第75-77页
    参考文献第77-85页
第4章 长周期Bi_(10)Fe_6Ti_3O_(30)陶瓷的结构与性能第85-100页
    4.1 引言第85-86页
    4.2 样品制备与表征第86-87页
        4.2.1 样品制备第86页
        4.2.2 样品表征第86-87页
    4.3 实验结果与讨论第87-96页
        4.3.1 晶体结构第87-89页
        4.3.2 磁学性能第89-91页
        4.3.3 交换偏置第91-94页
        4.3.4 电学性能第94-96页
    4.4 本章小结第96-97页
    参考文献第97-100页
第5章 部分钻取代铁对Bi_(10)Fe_6Ti_3O_(30)陶瓷的结构与性能的影响第100-108页
    5.1 引言第100-101页
    5.2 样品制备与表征第101页
        5.2.1 样品制备第101页
        5.2.2 样品表征第101页
    5.3 实验结果与讨论第101-106页
        5.3.1 晶体结构第101-103页
        5.3.2 电学性能第103-104页
        5.3.3 磁性性能与交换偏置第104-106页
    5.4 本章小结第106-107页
    参考文献第107-108页
第6章 总结及展望第108-110页
    6.1 全文总结第108页
    6.2 未来工作展望第108-110页
致谢第110-112页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第112-113页

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