| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 纳米电子器件 | 第12-13页 |
| 1.2 研究纳米器件中的电声耦合的意义 | 第13-17页 |
| 1.2.1 电声耦合对电输运性质的影响 | 第13-14页 |
| 1.2.2 非弹性电子隧穿谱 | 第14-16页 |
| 1.2.3 电声耦合对器件发热贡献 | 第16-17页 |
| 1.2.4 电声耦合对热电转换性能的影响 | 第17页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 考虑电声耦合的非平衡格林函数法 | 第20-32页 |
| 2.1 基本模型 | 第20-22页 |
| 2.1.1 体系哈密顿量 | 第20-22页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第22-25页 |
| 2.2.1 电子格林函数 | 第22-23页 |
| 2.2.2 声子格林函数 | 第23-24页 |
| 2.2.3 电流公式 | 第24-25页 |
| 2.2.4 弹性输运 | 第25页 |
| 2.3 自洽波恩近似 | 第25-26页 |
| 2.4 最低阶展开 | 第26-32页 |
| 2.4.1 宽带近似 | 第27-28页 |
| 2.4.2 非宽带近似 | 第28-32页 |
| 第3章 低温下石墨烯纳米带的超大非弹性电流 | 第32-42页 |
| 3.1 研究背景简介 | 第32-33页 |
| 3.2 方法 | 第33-34页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第34-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-42页 |
| 第4章 电声相互作用对石墨烯纳米带自旋分辨塞贝克效应的影响 | 第42-52页 |
| 4.1 研究背景简介 | 第42-43页 |
| 4.2 方法和讨论 | 第43-48页 |
| 4.2.1 弹性过程 | 第43-46页 |
| 4.2.2 非弹性过程 | 第46-48页 |
| 4.3 DFT计算结果 | 第48-51页 |
| 4.4 小结 | 第51-52页 |
| 第5章 非弹性共振输运对单分子器件电流平台的影响 | 第52-60页 |
| 5.1 研究背景简介 | 第52-53页 |
| 5.2 方法 | 第53-54页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第54-59页 |
| 5.4 小结 | 第59-60页 |
| 第6章 利用第一性原理和非平衡格林函数计算非弹性共振输运特征谱 | 第60-70页 |
| 6.1 研究背景简介 | 第60页 |
| 6.2 方法和讨论 | 第60-65页 |
| 6.2.1 基本模型 | 第60-61页 |
| 6.2.2 非弹性共振隧穿 | 第61-62页 |
| 6.2.3 微分电导谱 | 第62-65页 |
| 6.3 DFT计算结果 | 第65-69页 |
| 6.4 小结 | 第69-70页 |
| 结论与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的论文 | 第84-86页 |
| 附录B 攻读学位期间参与的科研项目 | 第86页 |