| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 引言 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-48页 |
| 1.1 二维石墨烯层状材料的基本研究现状 | 第15-21页 |
| 1.1.1 石墨烯的晶体结构和能带结构 | 第15-16页 |
| 1.1.2 石墨烯的物理特性 | 第16页 |
| 1.1.3 石墨烯的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.1.4 石墨烯在光电探测器中的应用 | 第18-21页 |
| 1.2 氧化锌纳米材料的基本研究现状 | 第21-37页 |
| 1.2.1 ZnO的结构和物理特性 | 第21-23页 |
| 1.2.2 ZnO纳米材料的制备方法 | 第23-26页 |
| 1.2.3 ZnO纳米材料在光电探测器中的应用 | 第26-37页 |
| 1.3 二氧化碲材料的基本研究现状 | 第37-41页 |
| 1.3.1 二氧化碲的晶体结构和物理特性 | 第37-38页 |
| 1.3.2 TeO_2纳米线的制备方法 | 第38-40页 |
| 1.3.3 TeO_2纳米线的主要应用 | 第40-41页 |
| 1.4 碲化锌材料的基本研究现状 | 第41-46页 |
| 1.4.1 碲化锌的晶体结构和物理特性 | 第41-42页 |
| 1.4.2 ZnTe材料在光电探测器中的应用 | 第42-46页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第46-48页 |
| 第二章 ZnO纳米杆/Graphene异质结紫外光电探测器 | 第48-63页 |
| 2.1 器件的制备 | 第48-52页 |
| 2.1.1 清洗衬底 | 第48-49页 |
| 2.1.2 制备Graphene | 第49页 |
| 2.1.3 转移Graphene | 第49-50页 |
| 2.1.4 生长ZnO纳米杆 | 第50-51页 |
| 2.1.5 填充绝缘层 | 第51-52页 |
| 2.1.6 制备金属电极 | 第52页 |
| 2.2 材料的表征 | 第52-55页 |
| 2.2.1 CVD法制备的Graphene的表征 | 第52-54页 |
| 2.2.2 水热法制备的ZnO纳米杆的表征 | 第54-55页 |
| 2.3 器件光电探测性能表征 | 第55-58页 |
| 2.3.1 I-V特性曲线 | 第55-56页 |
| 2.3.2 I-t特性曲线 | 第56-58页 |
| 2.4 器件场发射性能表征 | 第58-62页 |
| 2.4.1 场发射测试系统 | 第58-59页 |
| 2.4.2 器件的场发射性能 | 第59-62页 |
| 2.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第三章 ZnO-TeO_2复合纳米杆光电探测器 | 第63-79页 |
| 3.1 化学气相沉积法制备ZnO-TeO_2复合纳米杆 | 第63-65页 |
| 3.1.1 化学气相沉积法制备ZnO纳米杆 | 第63-64页 |
| 3.1.2 化学气相沉积法制备ZnO-TeO_2复合纳米杆 | 第64-65页 |
| 3.2 ZnO-TeO_2复合纳米杆的表征 | 第65-69页 |
| 3.2.1 不同温度下生长在不同区域的ZnO纳米杆的形貌分析 | 第65-67页 |
| 3.2.2 ZnO-TeO_2复合纳米杆的表征 | 第67-69页 |
| 3.3 光电探测器的制备及性能研究 | 第69-77页 |
| 3.3.1 器件的制备 | 第69-70页 |
| 3.3.2 器件光电探测性能表征 | 第70-75页 |
| 3.3.3 器件光电探测机理分析 | 第75-77页 |
| 3.4 本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章 锌碲氧复合物宽光谱光电探测器 | 第79-89页 |
| 4.1 锌碲氧复合物的制备及表征 | 第79-83页 |
| 4.1.1 材料的制备方法 | 第79-80页 |
| 4.1.2 锌碲氧复合物的表征 | 第80-83页 |
| 4.2 宽光谱光电探测器的制备及性能研究 | 第83-87页 |
| 4.2.1 器件的制备 | 第83-84页 |
| 4.2.2 探测器光电探测性能研究 | 第84-86页 |
| 4.2.3 探测器光电探测性能分析 | 第86-87页 |
| 4.3 本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 总结和展望 | 第89-92页 |
| 中外文参考文献 | 第92-110页 |
| 博士期间发表论文及申请专利 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
