| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 SiC材料概述 | 第14-20页 |
| 1.2.1 SiC晶体结构 | 第14-17页 |
| 1.2.2 SiC的物理和化学性质 | 第17-19页 |
| 1.2.3 SiC半导体材料的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 SiC薄膜生长的研究进展 | 第20-24页 |
| 1.3.1 硅基底上SiC薄膜的研究进展 | 第20-23页 |
| 1.3.2 蓝宝石基底上SiC薄膜的研究进展 | 第23页 |
| 1.3.3 SiC薄膜制备面临的问题 | 第23-24页 |
| 1.4 SiC薄膜的生长模式 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的研究意义与研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 SiC薄膜制备技术及分析方法 | 第27-41页 |
| 2.1 薄膜的几种制备方法简介 | 第27-31页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第27-28页 |
| 2.1.2 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第28-29页 |
| 2.1.3 溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第29-30页 |
| 2.1.4 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第30页 |
| 2.1.5 分子束外延法(MBE) | 第30-31页 |
| 2.2 SiC薄膜制备系统 | 第31-33页 |
| 2.2.1 磁控溅射技术的工作原理 | 第31-32页 |
| 2.2.2 直流与射频磁控溅射系统 | 第32-33页 |
| 2.3 SiC薄膜的生长工艺 | 第33-38页 |
| 2.3.1 实验材料的准备 | 第33-34页 |
| 2.3.2 衬底基片的清洗 | 第34页 |
| 2.3.3 磁控溅射仪器的使用 | 第34-36页 |
| 2.3.4 快速退火炉的使用 | 第36-37页 |
| 2.3.5 薄膜电极的制备 | 第37-38页 |
| 2.4 SiC薄膜的结构及性能表征 | 第38-41页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析(XRD) | 第38页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第38-39页 |
| 2.4.3 扫描探针显微镜分析(SPM) | 第39-40页 |
| 2.4.4 电学性能测试 | 第40-41页 |
| 第三章 单晶硅衬底上SiC薄膜的制备及性能研究 | 第41-63页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 SiC靶材分析 | 第41-42页 |
| 3.3 Ti靶检测磁控溅射系统 | 第42-45页 |
| 3.4 硅衬底上氧化层对薄膜的影响 | 第45-50页 |
| 3.4.1 物相分析 | 第45-46页 |
| 3.4.2 表面及断面形貌分析 | 第46-48页 |
| 3.4.3 电阻温度特性分析 | 第48-50页 |
| 3.5 沉积温度对薄膜的影响 | 第50-55页 |
| 3.5.1 物相分析 | 第50-51页 |
| 3.5.2 表面形貌分析 | 第51-52页 |
| 3.5.3 电阻温度特性分析 | 第52-55页 |
| 3.6 热处理对薄膜性能的影响 | 第55-59页 |
| 3.6.1 物相及形貌分析 | 第55-57页 |
| 3.6.2 退火温度及气氛对薄膜成分的影响 | 第57-58页 |
| 3.6.3 电阻温度特性分析 | 第58-59页 |
| 3.7 单晶Si/SiO_2衬底上SiC薄膜的综合电学特性 | 第59-62页 |
| 3.8 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上SiC薄膜的生长及性能研究 | 第63-72页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 沉积温度对薄膜的影响 | 第63-65页 |
| 4.2.1 物相分析 | 第63-64页 |
| 4.2.2 表面形貌分析 | 第64-65页 |
| 4.3 热处理对蓝宝石衬底上SiC薄膜的影响 | 第65-69页 |
| 4.3.1 物相分析 | 第66页 |
| 4.3.2 表面形貌分析 | 第66-67页 |
| 4.3.3 电阻温度特性分析 | 第67-69页 |
| 4.4 蓝宝石衬底上SiC薄膜的综合电学特性 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 过渡层对蓝宝石衬底上SiC薄膜性能的影响 | 第72-78页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 过渡层的选择与制备 | 第72-73页 |
| 5.3 含有过渡层的SiC薄膜结构与性能分析 | 第73-77页 |
| 5.3.1 物相分析 | 第73页 |
| 5.3.2 表面及断面形貌分析 | 第73-75页 |
| 5.3.3 电阻温度特性分析 | 第75-76页 |
| 5.3.4 膜基结合力分析 | 第76-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 本文论的主要结论 | 第78-79页 |
| 6.2 对未来工作的展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 在学期间的研究成果 | 第86页 |
