| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 缩略词 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 可重构天线 | 第12-15页 |
| 1.2.2 固态等离子体天线 | 第15-19页 |
| 1.3 本文主要内容及章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 固态等离子体天线的基本理论 | 第21-33页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 天线的基本理论 | 第21-26页 |
| 2.2.1 天线的基本电参数 | 第21-23页 |
| 2.2.2 微带天线的馈电方式 | 第23-24页 |
| 2.2.3 微带天线阵 | 第24-26页 |
| 2.3 等离子体的基本理论 | 第26-30页 |
| 2.3.1 等离子体的定义与基本性质 | 第26-27页 |
| 2.3.2 等离子体的基本参量 | 第27-28页 |
| 2.3.3 固态等离子体的基本理论 | 第28-30页 |
| 2.4 半导体的基本理论 | 第30-32页 |
| 2.4.1 半导体中载流子的统计分布 | 第30-31页 |
| 2.4.2 半导体的导电性 | 第31-32页 |
| 2.4.3 非平衡载流子 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 固态等离子体PIN单元特性研究 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 GaAs-PIN单元特性研究 | 第33-37页 |
| 3.2.1 GaAs-PIN单元模型设计 | 第33-34页 |
| 3.2.2 GaAs-PIN单元特性研究 | 第34-37页 |
| 3.3 S-PIN单元特性研究 | 第37-43页 |
| 3.3.1 S-PIN单元模型设计 | 第37-39页 |
| 3.3.2 S-PIN单元特性研究 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 固态等离子体微带线设计 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 微带线的基本原理 | 第45-46页 |
| 4.3 离散化固态等离子体单元间距研究 | 第46-49页 |
| 4.3.1 固态等离子体微带线 | 第46页 |
| 4.3.2 固态等离子体单元间距 | 第46-49页 |
| 4.4 固态等离子单元馈电方式设计 | 第49-53页 |
| 4.4.1 GaAs-PIN单元电极线设计与研究 | 第49页 |
| 4.4.2 S-PIN单元电极线设计与研究 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 基于固态等离子体的可重构天线设计 | 第54-77页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 基于GAAS-PIN的固态等离子体方向图可重构天线 | 第54-70页 |
| 5.2.1 准八木天线的基本原理 | 第54-55页 |
| 5.2.2 固态等离子体方向图可重构天线初步设计 | 第55-60页 |
| 5.2.3 固态等离子体方向图可重构天线关键技术分析 | 第60-66页 |
| 5.2.4 实验分析 | 第66-70页 |
| 5.3 基于S-PIN的固态等离子体频率可重构天线 | 第70-75页 |
| 5.3.1 贴片天线的基本原理 | 第70-71页 |
| 5.3.2 S-PIN固态等离子体频率可重构天线 | 第71-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 总结 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第86页 |
