| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 非挥发存储器市场 | 第9-10页 |
| 1.2 非挥发存储器器件结构发展历史 | 第10-16页 |
| 1.2.1 浮栅存储器件 | 第11-13页 |
| 1.2.2 半导体纳米晶器件 | 第13-14页 |
| 1.2.3 金属纳米晶器件 | 第14-16页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第16-19页 |
| 第二章 非挥发存储器器件工作原理和可靠性 | 第19-35页 |
| 2.1 读出机制 | 第19-21页 |
| 2.2 编程和擦除机制 | 第21-30页 |
| 2.2.1 Fowler-Nordheim 隧穿(F-N) 和直接隧穿(DT) | 第22-28页 |
| 2.2.2 热电子注入（hot electron injection，HEI) | 第28-30页 |
| 2.3 非挥发存储器器件可靠性 | 第30-33页 |
| 2.3.1 耐久性(Endurance) | 第30-32页 |
| 2.3.2 数据保持能力(Data Retention) | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 金属纳米晶结构器件存储特性的理论与模拟分析 | 第35-61页 |
| 3.1 浮栅结构器件存储特性的基本理论分析 | 第35-41页 |
| 3.1.1 浮栅电压计算 | 第35-37页 |
| 3.1.2 编程过程的影响因素分析 | 第37-38页 |
| 3.1.3 擦除及数据保持过程的影响因素分析 | 第38-41页 |
| 3.2 金属浮栅存储器件存储特性的模拟 | 第41-54页 |
| 3.2.1 金属浮栅存储器件P/E 过程TCAD 仿真方法介绍 | 第41-44页 |
| 3.2.2 浮栅功函数对金属浮栅器件性能影响的模拟分析 | 第44-50页 |
| 3.2.3 控制栅功函数对金属浮栅器件性能影响的模拟分析 | 第50-54页 |
| 3.3 金属纳米晶数量及大小对器件性能的影响 | 第54-59页 |
| 3.3.1 金属纳米晶数量对器件FN 编程性能的影响 | 第54-57页 |
| 3.3.2 金属纳米晶大小对器件FN 编程性能的影响 | 第57-59页 |
| 3.4 浮栅存储器件性能优化的讨论 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 金属纳米晶存储器件的电荷保持能力建模与分析 | 第61-74页 |
| 4.1 金属纳米晶数据保持模型的建立 | 第61-66页 |
| 4.1.1 量子限制效应 | 第61-62页 |
| 4.1.2 库仑阻塞效应 | 第62-63页 |
| 4.1.3 金属纳米晶存储器件中量子限制效应与库仑阻塞效应的比较 | 第63-64页 |
| 4.1.4 金属纳米晶存储器件数据保持能力模型的建立 | 第64-66页 |
| 4.2 金属纳米晶存储器件数据保持模型的验证 | 第66-68页 |
| 4.3 金属纳米晶存储器件数据保持能力的影响因素分析 | 第68-72页 |
| 4.3.1 金属纳米晶的功函数对器件数据保持能力的影响 | 第68-70页 |
| 4.3.2 隧穿介质厚度对器件数据保持能力的影响 | 第70-71页 |
| 4.3.3 隧穿介质介电常数的影响 | 第71-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 全文总结和展望 | 第74-76页 |
| 附录1：金属纳米晶存储器器件仿真测试程序 | 第76-80页 |
| 附录2：金属纳米晶数据保持能力Matlab 建模程序 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 论文发表情况 | 第85-88页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第88页 |
